一种基于ScAlN的氮化物自旋场效应忆阻器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411650636.0

申请日：

2024-11-19

公开(公告)号：

CN119156124B

公开(公告)日：

2025-02-14

发明(设计)人：

唐宁陈帅宇孙真昊郭富强李国平沈波

申请人：

北京大学

申请人地址：

100871 北京市海淀区颐和园路5号

IPC主分类号：

H10N70/00

IPC分类号：

H10N70/20

代理机构：

北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360

代理人：

李稚婷

法律状态：

授权

国省代码：

北京市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-14	授权	授权
2025-01-03	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10N 70/00申请日:20241119
2024-12-17	公开	公开

共 50 条

[1]

一种基于ScAlN的氮化物自旋场效应忆阻器及其制备方法 [P].

唐宁 ;

陈帅宇 ;

孙真昊 ;

郭富强 ;

李国平 ;

沈波 .

中国专利 :CN119156124A ,2024-12-17

[2]

基于氮化物的忆阻器 [P].

J.杨 ;

G.M.里贝罗 ;

R.S.威廉斯 .

中国专利 :CN103797573A ,2014-05-14

[3]

基于Ⅲ族氮化物异质结的场效应晶体管及其制备方法 [P].

张晓东 ;

魏星 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN112201689B ,2024-06-04

[4]

一种基于氮化物的3D集成忆阻器及其制备方法 [P].

杨赢 ;

杨亚霖 ;

何庆 ;

杨晓琴 ;

肖安康 ;

朱鹏 ;

顾泓 .

中国专利 :CN117858615A ,2024-04-09

[5]

基于Ⅲ族氮化物异质结的场效应晶体管及其制备方法 [P].

张晓东 ;

魏星 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN112201689A ,2021-01-08

[6]

一种相变纳米颗粒镶嵌的氮化物忆阻器及其制备方法 [P].

曾飞 ;

万钦 .

中国专利 :CN109449286A ,2019-03-08

[7]

氮化物系场效应晶体管及其制造方法 [P].

竹谷元伸 .

中国专利 :CN104347699A ,2015-02-11

[8]

一种氮离子源结构设计的氮化物忆阻器及其制备方法 [P].

马海蛟 ;

刘宪钦 ;

李浩南 ;

张斯雯 ;

周咏琪 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN120265110A ,2025-07-04

[9]

氮化物半导体器件的电极构造及其制造方法以及氮化物半导体场效应晶体管 [P].

栗田大佑 .

中国专利 :CN104380445A ,2015-02-25

[10]

一种增强型氮化物场效应晶体管及其制备方法 [P].

马平 ;

姬小利 ;

李喜林 ;

刘波亭 ;

王军喜 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN106898640A ,2017-06-27

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