一种使用低铟含量靶材制备透明导电氧化物薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411622636.X

申请日：

2024-11-14

公开(公告)号：

CN119465032A

公开(公告)日：

2025-02-18

发明(设计)人：

李天柱文宏福卢宽宽李鹏吴旭明

申请人：

广东欧莱高新材料股份有限公司

申请人地址：

512000 广东省韶关市武江区创业路5号C幢厂房

IPC主分类号：

C23C14/08

IPC分类号：

C23C14/35 C23C14/34

代理机构：

北京天盾知识产权代理有限公司 11421

代理人：

林晓宏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

广东省韶关市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-07	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C23C 14/08申请日:20241114
2025-02-18	公开	公开

共 50 条

[1]

一种氧化铟钛铈铌陶瓷靶材及其制备方法和应用、透明导电氧化物薄膜 [P].

刘秉宁 ;

孔伟华 ;

马贺 .

中国专利 :CN121159233A ,2025-12-19

[2]

一种氧化铟钛铈铌陶瓷靶材及其制备方法和应用、透明导电氧化物薄膜 [P].

林智成 ;

侯庆龙 ;

李强 ;

官凌宇 ;

纪生晓 ;

罗云侠 .

中国专利 :CN119613090A ,2025-03-14

[3]

一种氧化铟锡透明导电氧化物薄膜的制备方法 [P].

王革 ;

李媛媛 ;

彭铮 ;

彭德香 ;

王文静 .

中国专利 :CN102544233A ,2012-07-04

[4]

透明导电氧化物薄膜的低温制备方法 [P].

陈同来 ;

李清文 ;

陈名海 .

中国专利 :CN101429643A ,2009-05-13

[5]

一种非晶透明导电氧化物薄膜的制备方法 [P].

张群 ;

李喜峰 ;

缪维娜 ;

黄丽 ;

章壮健 .

中国专利 :CN100415930C ,2005-11-16

[6]

透明导电氧化物薄膜的制备方法 [P].

陈剑辉 ;

李锋 ;

沈燕龙 ;

赵文超 ;

李高非 ;

胡志岩 ;

熊景峰 ;

宋登元 .

中国专利 :CN103147041A ,2013-06-12

[7]

透明导电氧化物薄膜的制备方法 [P].

刘铭全 .

中国专利 :CN119730486A ,2025-03-28

[8]

透明导电氧化物薄膜的制备方法 [P].

崔鸽 ;

董刚强 ;

李沅民 ;

谭钦 .

中国专利 :CN111446149A ,2020-07-24

[9]

用于制备透明导电薄膜的锌铝氧化物靶材 [P].

赵大庆 ;

庄大明 ;

方玲 ;

梁展鸿 ;

俞锦方 ;

沈淦荣 ;

杨伟方 .

中国专利 :CN1289128A ,2001-03-28

[10]

一种透明导电氧化物薄膜的制备方法 [P].

徐东 ;

徐永 ;

任昌义 .

中国专利 :CN102646759B ,2012-08-22

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