SiC基板の表面加工装置および表面加工方法[ja]

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申请号
JP20210087582
申请日
2021-05-25
公开(公告)号
JP7632078B2
公开(公告)日
2025-02-19
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
H01L21/304
IPC分类号
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[1]
表面加工装置および表面加工方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6290350B1 ,2018-03-07
[2]
SiC基板の表面加工方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP7684650B2 ,2025-05-28
[3]
[4]
表面加工装置および方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP7549981B2 ,2024-09-12
[5]
噴射加工装置および被加工物の表面加工方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6544539B2 ,2019-07-17
[6]
噴射加工装置および被加工物の表面加工方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2017002538A1 ,2018-03-15
[7]
表面加工方法及び表面加工装置[ja] [P]. 
日本专利 :JP5692497B2 ,2015-04-01
[8]
表面加工装置及び表面加工方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2012172630A1 ,2015-02-23
[9]
基板加工方法および基板加工装置[ja] [P]. 
日本专利 :JP6851040B2 ,2021-03-31
[10]
基板加工方法および基板加工装置[ja] [P]. 
日本专利 :JP6851041B2 ,2021-03-31