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エネルギー変換素子およびその製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20230125123
申请日
:
2023-07-31
公开(公告)号
:
JP2025021306A
公开(公告)日
:
2025-02-13
发明(设计)人
:
ISHIZUKA SHOGO
申请人
:
AIST
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H10F10/167
IPC分类号
:
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
光電変換素子およびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2012165500A1
,2015-02-23
[2]
熱電変換素子およびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2013114592A1
,2015-05-11
[3]
光電変換薄膜素子およびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2025153053A
,2025-10-10
[4]
光電変換素子および光電変換素子の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2020174972A1
,2021-12-02
[5]
光電変換素子および光電変換素子の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2020188751A1
,2021-04-30
[6]
光電変換素子および光電変換素子の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2020129803A1
,2021-11-04
[7]
熱電変換材料およびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2003085748A1
,2005-08-18
[8]
光電変換素子及びその製造方法[ja]
[P].
NAKAMICHI SHINJI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
ENECOAT TECH CO LTD
ENECOAT TECH CO LTD
NAKAMICHI SHINJI
;
OTA MIYAKO
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
ENECOAT TECH CO LTD
ENECOAT TECH CO LTD
OTA MIYAKO
.
日本专利
:JP2024095333A
,2024-07-10
[9]
無機化合物半導体、その製造方法、およびそれを用いた光エネルギー変換素子[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2020194771A1
,2021-04-08
[10]
無機化合物半導体、その製造方法、およびそれを用いた光エネルギー変換素子[ja]
[P].
日本专利
:JP6715471B1
,2020-07-01
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