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無機化合物半導体、その製造方法、およびそれを用いた光エネルギー変換素子[ja]
被引:0
申请号
:
JP20190563904
申请日
:
2019-06-20
公开(公告)号
:
JPWO2020194771A1
公开(公告)日
:
2021-04-08
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
C23C14/06
IPC分类号
:
C30B25/06
C30B29/38
H01L21/363
H01L31/0256
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
無機化合物半導体、その製造方法、およびそれを用いた光エネルギー変換素子[ja]
[P].
日本专利
:JP6715471B1
,2020-07-01
[2]
エネルギー変換素子およびその製造方法[ja]
[P].
ISHIZUKA SHOGO
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
AIST
AIST
ISHIZUKA SHOGO
.
日本专利
:JP2025021306A
,2025-02-13
[3]
半導体発光素子およびそれを用いた半導体発光装置とその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2009054088A1
,2011-03-03
[4]
化合物及びその製造方法並びにその化合物を用いた有機半導体材料[ja]
[P].
日本专利
:JP7365025B2
,2023-10-19
[5]
化合物及びその製造方法並びにその化合物を用いた有機半導体材料[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2020090636A1
,2021-10-14
[6]
化合物半導体基板、及びその製造方法、並びにその化合物半導体基板を用いた発光素子[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2012164847A1
,2015-02-23
[7]
化合物半導体基板、及びその製造方法、並びにその化合物半導体基板を用いた発光素子[ja]
[P].
日本专利
:JP5768879B2
,2015-08-26
[8]
化合物およびそれを用いた発光素子[ja]
[P].
日本专利
:JP7495231B2
,2024-06-04
[9]
化合物半導体の薄膜積層構造、それを用いた半導体装置およびそれらの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6256173B2
,2018-01-10
[10]
半導体素子およびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2020080124A1
,2021-09-30
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