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化合物半導体の薄膜積層構造、それを用いた半導体装置およびそれらの製造方法[ja]

被引：0
申请号：
JP20140088348
申请日：
2014-04-22
公开(公告)号：
JP6256173B2
公开(公告)日：
2018-01-10
发明(设计)人：
申请人：
申请人地址：
IPC主分类号：
H01S5/343
IPC分类号：
H01L21/205 H01L21/338 H01L29/778 H01L29/812 H01L33/12 H01L33/32
代理机构：
代理人：
法律状态：
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
共 50 条
[1]
化合物半導体構造およびその製造方法[ja] [P]. 
SAKAIDA YOSHINORI ;
URATANI YASUKI ;
KAWAMURA KEISUKE .
日本专利 :JP2024131184A ,2024-09-30
[2]
化合物半導体構造および化合物半導体構造の製造方法[ja] [P]. 
SAKAIDA YOSHINORI ;
URATANI YASUKI ;
KAWAMURA KEISUKE ;
YAMASHITA TAKAMASA .
日本专利 :JP2025019538A ,2025-02-07
[3]
化合物半導体積層体及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6088281B2 ,2017-03-01
[4]
半導体用接着組成物、それを用いた半導体装置および半導体装置の製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2006132165A1 ,2009-01-08
[5]
化合物半導体およびその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2019155674A1 ,2020-12-03
[6]
半導体積層体および半導体積層体の製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2016511537A ,2016-04-14
[7]
化合物半導体装置およびその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6885710B2 ,2021-06-16
[8]
化合物半導体装置およびその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2008041277A1 ,2010-01-28
[9]
化合物半導体装置およびその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6485383B2 ,2019-03-20
[10]
化合物半導体装置およびその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6651894B2 ,2020-02-19
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