化合物半導体装置およびその製造方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20160032292

申请日：

2016-02-23

公开(公告)号：

JP6651894B2

公开(公告)日：

2020-02-19

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L21/20 H01L21/265 H01L21/336 H01L29/06 H01L29/12

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共 50 条

[1]

化合物半導体およびその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2019155674A1 ,2020-12-03

[2]

化合物半導体装置およびその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6885710B2 ,2021-06-16

[3]

化合物半導体装置およびその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2008041277A1 ,2010-01-28

[4]

化合物半導体装置およびその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6485383B2 ,2019-03-20

[5]

化合物半導体装置の製造方法および化合物半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JP6485382B2 ,2019-03-20

[6]

化合物半導体装置、化合物半導体基板、および化合物半導体装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP7248410B2 ,2023-03-29

[7]

化合物半導体構造およびその製造方法[ja] [P].

SAKAIDA YOSHINORI ;

URATANI YASUKI ;

KAWAMURA KEISUKE .

日本专利 :JP2024131184A ,2024-09-30

[8]

化合物半導体基板およびその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6713341B2 ,2020-06-24

[9]

化合物半導体基板およびその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP7217715B2 ,2023-02-03

[10]

化合物半導体構造および化合物半導体構造の製造方法[ja] [P].

SAKAIDA YOSHINORI ;

URATANI YASUKI ;

KAWAMURA KEISUKE ;

YAMASHITA TAKAMASA .

日本专利 :JP2025019538A ,2025-02-07

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