化合物半導体基板およびその製造方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20160090360

申请日：

2016-04-28

公开(公告)号：

JP6713341B2

公开(公告)日：

2020-06-24

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

C30B29/48

IPC分类号：

C30B11/00 H01L21/477 H01L31/0248

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共 50 条

[1]

化合物半導体基板の製造方法および化合物半導体基板[ja] [P].

日本专利 :JP6925117B2 ,2021-08-25

[2]

化合物半導体基板および化合物半導体基板の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6450282B2 ,2019-01-09

[3]

化合物半導体基板および化合物半導体基板の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP7726426B1 ,2025-08-20

[4]

化合物半導体基板および化合物半導体基板の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP7550557B2 ,2024-09-13

[5]

化合物半導体基板およびその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP7217715B2 ,2023-02-03

[6]

化合物半導体およびその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2019155674A1 ,2020-12-03

[7]

化合物半導体装置、化合物半導体基板、および化合物半導体装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP7248410B2 ,2023-03-29

[8]

化合物半導体構造およびその製造方法[ja] [P].

SAKAIDA YOSHINORI ;

URATANI YASUKI ;

KAWAMURA KEISUKE .

日本专利 :JP2024131184A ,2024-09-30

[9]

化合物半導体装置およびその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6885710B2 ,2021-06-16

[10]

化合物半導体装置およびその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2008041277A1 ,2010-01-28

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