一种硅片中氧沉淀大小的测量方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411582504.9

申请日：

2024-11-07

公开(公告)号：

CN119534398A

公开(公告)日：

2025-02-28

发明(设计)人：

刘赟王昊薛忠营魏星

申请人：

中国科学院上海微系统与信息技术研究所

申请人地址：

200050 上海市长宁区长宁路865号

IPC主分类号：

G01N21/47

IPC分类号：

H01L21/66 G01N21/01 G01N23/2251

代理机构：

上海泰博知识产权代理有限公司 31451

代理人：

魏峯

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-18	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G01N 21/47申请日:20241107
2025-09-26	授权	授权
2025-02-28	公开	公开

共 50 条

[1]

一种硅片中氧沉淀大小的测量方法 [P].

刘赟 ;

王昊 ;

薛忠营 ;

魏星 .

中国专利 :CN119534398B ,2025-09-26

[2]

硅片中金属含量的测量方法 [P].

谭继东 ;

郭恺辰 ;

程远梅 .

中国专利 :CN112713103B ,2021-04-27

[3]

用于控制理想氧沉淀硅片中洁净区深度的方法 [P].

J·L·利伯特 ;

M·J·宾斯 ;

R·J·法尔斯特 .

中国专利 :CN1625802A ,2005-06-08

[4]

一种消除掺氮直拉单晶硅片中原生氧沉淀的方法 [P].

马向阳 ;

徐泽 ;

杨德仁 .

中国专利 :CN102605433A ,2012-07-25

[5]

一种不同大小离子的测量方法 [P].

欧秀虎 ;

赖文 ;

张脉惠 .

中国专利 :CN120778858A ,2025-10-14

[6]

一种箱体大小的测量方法及测量设备 [P].

谢阳阳 .

中国专利 :CN109186461A ,2019-01-11

[7]

一种硅片厚度测量装置及测量方法 [P].

李俊林 .

中国专利 :CN104613879A ,2015-05-13

[8]

一种硅片厚度测量装置及测量方法 [P].

王云祥 ;

付晨 ;

方丹 ;

王震 .

中国专利 :CN118816728A ,2024-10-22

[9]

一种硅片表面能的测量方法、装置、介质以及硅片 [P].

邹永鑫 ;

苏鸿飞 ;

尚荔阳 .

中国专利 :CN118443532A ,2024-08-06

[10]

一种硅片电阻率的测量方法 [P].

魏星 ;

李名浩 ;

薛忠营 .

中国专利 :CN113721076A ,2021-11-30

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