单晶炉、单晶炉熔体间隙测量方法及单晶炉漏硅检测方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202411859585.2
申请日
2024-12-17
公开(公告)号
CN119553355A
公开(公告)日
2025-03-04
发明(设计)人
赵亮 杨松
申请人
西安奕斯伟材料科技股份有限公司 西安欣芯材料科技有限公司
申请人地址
710000 陕西省西安市高新区西沣南路1888号1-3-029室
IPC主分类号
C30B15/00
IPC分类号
C30B29/06 C30B15/22 C30B15/26 F27D21/00
代理机构
北京银龙知识产权代理有限公司 11243
代理人
吴立臣
法律状态
实质审查的生效
国省代码
江苏省 常州市
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共 50 条
[1]
单晶炉漏硅报警装置及单晶炉 [P]. 
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[2]
单晶炉加热装置、单晶炉及单晶炉的加热方法 [P]. 
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[3]
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欧子杨 ;
杨宇昂 ;
向鹏 .
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[4]
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欧子杨 ;
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[5]
单晶炉及单晶硅制备方法 [P]. 
蒲以松 ;
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[6]
单晶炉及单晶硅制备方法 [P]. 
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欧子杨 ;
陈占仓 ;
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[7]
单晶炉及单晶硅制备方法 [P]. 
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[8]
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[9]
单晶炉重锤、单晶炉、硅单晶的直拉方法及硅单晶 [P]. 
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周浩 ;
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[10]
单晶炉加热结构、单晶炉和单晶炉的加热方法 [P]. 
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