透明导电电极及其制备方法、半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311040629.4

申请日：

2023-08-17

公开(公告)号：

CN119521846A

公开(公告)日：

2025-02-25

发明(设计)人：

李枭雄张琦松洪义平

申请人：

北京鲜猿电子设备制造有限公司

申请人地址：

100086 北京市海淀区大钟寺东路9号1幢一层106

IPC主分类号：

H10F77/20

IPC分类号：

H10F71/00

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

张静

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-18	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10F 77/20申请日:20230817
2025-02-25	公开	公开

共 50 条

[1]

透明导电电极及其制备方法、电子器件 [P].

王硕 ;

辛凯 ;

刘云峰 .

中国专利 :CN113936844B ,2022-01-14

[2]

导电桥半导体器件及其制备方法 [P].

刘琦 ;

赵晓龙 ;

刘森 ;

刘明 ;

吕杭炳 ;

龙世兵 ;

王艳 ;

伍法才 .

中国专利 :CN106876400B ,2017-06-20

[3]

半导体器件及其制造方法和透明导电薄膜的制造方法 [P].

村上茜 ;

宫崎稔 ;

崔葆春 .

中国专利 :CN1051878C ,1994-07-20

[4]

电流扩散电极、半导体发光器件及其制备方法 [P].

张戈 .

中国专利 :CN102810613A ,2012-12-05

[5]

半导体器件、半导体结构及其制备方法 [P].

周维杰 ;

常靖华 .

中国专利 :CN119866047A ,2025-04-22

[6]

半导体器件及其制备方法 [P].

郭帅 .

中国专利 :CN119031716B ,2025-09-26

[7]

半导体器件及其制备方法 [P].

郭帅 .

中国专利 :CN119031716A ,2024-11-26

[8]

半导体器件及其制备方法 [P].

孙玉乐 .

中国专利 :CN114334833A ,2022-04-12

[9]

半导体器件及其制备方法 [P].

邱立军 ;

卫乐平 ;

王丽 ;

马栋 ;

张继亮 .

中国专利 :CN119947158A ,2025-05-06

[10]

半导体器件及其制备方法 [P].

陈笋弘 ;

黄健宾 ;

林毓纯 ;

谢朝景 ;

刘安琪 ;

丁佳耿 ;

翁巧航 ;

朱阿元 .

中国专利 :CN118610191B ,2025-10-21

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