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半导体器件及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510058410.X
申请日：
2025-01-14
公开(公告)号：
CN119947158A
公开(公告)日：
2025-05-06
发明(设计)人：
邱立军 卫乐平 王丽 马栋 张继亮
申请人：
华虹半导体（无锡）有限公司
申请人地址：
214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号
IPC主分类号：
H10D30/01
IPC分类号：
H10D30/60 H10D64/27 H01L23/48
代理机构：
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人：
崔莹
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
江苏省 无锡市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-05-23 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/01申请日:20250114
2025-05-06 公开 公开
共 50 条
[1]
一种半导体器件及其制备方法 [P]. 
李飞 ;
董宗谕 ;
曹飞 .
中国专利 :CN117790318A ,2024-03-29
[2]
一种半导体器件及其制备方法 [P]. 
李飞 ;
董宗谕 ;
曹飞 .
中国专利 :CN117790318B ,2024-05-24
[3]
半导体结构及其制备方法、半导体器件 [P]. 
廖学海 ;
明玉坤 ;
邹鹏 .
中国专利 :CN121099680A ,2025-12-09
[4]
半导体结构及其制备方法、半导体器件 [P]. 
廖学海 ;
明玉坤 ;
邹鹏 .
中国专利 :CN121078782A ,2025-12-05
[5]
半导体器件及其制备方法 [P]. 
兰总金 ;
李秀柱 ;
陈国帅 .
中国专利 :CN120769519A ,2025-10-10
[6]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
薛琬晴 ;
靳耀乐 ;
严翔 ;
闫晓晖 ;
丁丽真 ;
沈文杰 .
中国专利 :CN118571842A ,2024-08-30
[7]
半导体器件、制备半导体器件的方法 [P]. 
禹国宾 ;
何永根 .
中国专利 :CN105826376B ,2016-08-03
[8]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
韩秋华 ;
王新鹏 ;
黄怡 .
中国专利 :CN102938378A ,2013-02-20
[9]
半导体器件、半导体结构及其制备方法 [P]. 
周维杰 ;
常靖华 .
中国专利 :CN119866047A ,2025-04-22
[10]
半导体器件及其制备方法 [P]. 
赵正元 ;
郭海亮 ;
赵志 ;
张称 ;
侯冰霞 ;
汪健 ;
王玉新 .
中国专利 :CN120299994A ,2025-07-11
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