半导体器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510708081.9

申请日：

2025-05-28

公开(公告)号：

CN120769519A

公开(公告)日：

2025-10-10

发明(设计)人：

兰总金李秀柱陈国帅

申请人：

杭州富芯半导体有限公司

申请人地址：

311418 浙江省杭州市富阳区灵桥镇滨富大道135号（滨富合作区）

IPC主分类号：

H10D30/01

IPC分类号：

H10D30/66 H10D64/27 H01L21/768

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

余明伟

法律状态：

公开

国省代码：

浙江省杭州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-10	公开	公开
2025-10-28	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/01申请日:20250528

共 50 条

[1]

半导体结构及其制备方法、半导体器件 [P].

廖学海 ;

明玉坤 ;

邹鹏 .

中国专利 :CN121099680A ,2025-12-09

[2]

半导体结构及其制备方法、半导体器件 [P].

廖学海 ;

明玉坤 ;

邹鹏 .

中国专利 :CN121078782A ,2025-12-05

[3]

半导体器件及其制备方法 [P].

邱立军 ;

卫乐平 ;

王丽 ;

马栋 ;

张继亮 .

中国专利 :CN119947158A ,2025-05-06

[4]

半导体器件、制备半导体器件的方法 [P].

禹国宾 ;

何永根 .

中国专利 :CN105826376B ,2016-08-03

[5]

半导体器件及其制备方法 [P].

童宇诚 ;

张钦福 .

中国专利 :CN112436007A ,2021-03-02

[6]

半导体结构、半导体器件及制备方法 [P].

黄爽 ;

杨杰 ;

李阳阳 ;

王瑞 ;

高志杰 .

中国专利 :CN120343962B ,2025-08-15

[7]

半导体结构、半导体器件及制备方法 [P].

黄爽 ;

杨杰 ;

李阳阳 ;

王瑞 ;

高志杰 .

中国专利 :CN120343962A ,2025-07-18

[8]

功率半导体器件及其制备方法 [P].

周源 ;

王超 ;

胡磊 ;

邢岳 ;

杨棂鑫 ;

王振达 ;

罗胡瑞 .

中国专利 :CN114141879A ,2022-03-04

[9]

功率半导体器件及其制备方法 [P].

周源 ;

王超 ;

胡磊 ;

邢岳 ;

杨棂鑫 ;

王振达 ;

罗胡瑞 .

中国专利 :CN114141879B ,2025-08-26

[10]

半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件 [P].

吴恒 ;

王润声 ;

黎明 ;

卢浩然 ;

孙嘉诚 ;

黄如 .

中国专利 :CN117832173A ,2024-04-05

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