一种碳化硅陶瓷材料及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202411775034.8
申请日
2024-12-05
公开(公告)号
CN119504275A
公开(公告)日
2025-02-25
发明(设计)人
胡晓文 王欣 鲁春茂
申请人
杭州赫瑞半导体科技有限公司
申请人地址
310000 浙江省杭州市萧山区经济技术开发区建设二路858号集成电路设计产业园D幢113-13室
IPC主分类号
C04B35/78
IPC分类号
C04B35/632 C04B35/565 C04B35/622 C04B35/63 C04B35/634
代理机构
武汉科湖知识产权代理事务所(普通合伙) 42313
代理人
杜艳
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
一种碳化硅陶瓷材料及其制备方法 [P]. 
胡晓文 ;
王欣 ;
鲁春茂 .
中国专利 :CN119504275B ,2025-05-06
[2]
一种碳化硅基陶瓷材料及其制备方法和大尺寸碳化硅陶瓷炉管 [P]. 
任云 ;
王立华 ;
刘长春 ;
宋思雨 .
中国专利 :CN120058373B ,2025-08-01
[3]
一种碳化硅基陶瓷材料及其制备方法和大尺寸碳化硅陶瓷炉管 [P]. 
任云 ;
王立华 ;
刘长春 ;
宋思雨 .
中国专利 :CN120058373A ,2025-05-30
[4]
一种碳化硅陶瓷材料及其的制备方法 [P]. 
王谋华 ;
程勇 ;
刘伟华 ;
张文礼 ;
张文发 ;
李诚 ;
吴国忠 .
中国专利 :CN106431410A ,2017-02-22
[5]
一种制备碳化硅陶瓷材料的方法、应用及碳化硅陶瓷材料 [P]. 
廖家豪 ;
戴恒 ;
窦坤鹏 ;
柴攀 ;
万强 .
中国专利 :CN117401979A ,2024-01-16
[6]
一种制备碳化硅陶瓷材料的方法、应用及碳化硅陶瓷材料 [P]. 
廖家豪 ;
戴恒 ;
窦坤鹏 ;
柴攀 ;
万强 .
中国专利 :CN117401979B ,2024-09-10
[7]
一种高纯度碳化硅陶瓷材料及制备方法 [P]. 
闫永杰 ;
张喜 ;
张俊雄 ;
唐倩 ;
邹济冬 ;
姜文杰 .
中国专利 :CN119330718A ,2025-01-21
[8]
碳化硅陶瓷浆料、碳化硅陶瓷材料及其制备方法和应用 [P]. 
张劲松 ;
徐奕辰 ;
屈睿 ;
孙是昊 ;
郝文俊 .
中国专利 :CN120483728A ,2025-08-15
[9]
一种碳化硅陶瓷材料及其制备方法 [P]. 
陈海清 .
中国专利 :CN114436659A ,2022-05-06
[10]
复杂形状碳化硅陶瓷材料及其制备方法 [P]. 
和娇娇 ;
白战英 ;
王萌 ;
阎蛇民 .
中国专利 :CN120081671A ,2025-06-03