集成电路结构及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011460003.5

申请日：

2020-12-11

公开(公告)号：

CN113130386B

公开(公告)日：

2025-02-28

发明(设计)人：

陈俊强吴俊廷苏钦豪王志彬

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号

IPC主分类号：

H01L21/768

IPC分类号：

H01L23/528 H10D84/03 H10D84/83

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006

代理人：

徐金国

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-28	授权	授权

共 50 条

[1]

集成电路结构及其形成方法 [P].

陈俊强 ;

吴俊廷 ;

苏钦豪 ;

王志彬 .

中国专利 :CN113130386A ,2021-07-16

[2]

集成电路结构及其形成方法 [P].

黄天建 ;

沈瑞滨 ;

张智贤 .

中国专利 :CN113571514A ,2021-10-29

[3]

集成电路结构及其形成方法 [P].

张洸鋐 ;

侯元德 ;

王中兴 ;

侯永清 .

中国专利 :CN113451303A ,2021-09-28

[4]

集成电路结构及其形成方法 [P].

黄天建 ;

沈瑞滨 ;

张智贤 .

中国专利 :CN113571514B ,2024-04-12

[5]

集成电路结构及其形成方法 [P].

袁峰 ;

李宗霖 ;

陈宏铭 ;

张长昀 .

中国专利 :CN102044469A ,2011-05-04

[6]

集成电路结构及其形成方法 [P].

潘谊纹 ;

柯忠祁 .

中国专利 :CN115000015A ,2022-09-02

[7]

集成电路结构及其形成方法 [P].

王超群 ;

柯忠祁 ;

施伯铮 .

中国专利 :CN106941092A ,2017-07-11

[8]

集成电路结构及其形成方法 [P].

郑安皓 .

中国专利 :CN115527988A ,2022-12-27

[9]

集成电路结构及其形成方法 [P].

布伦特·A·安德森 ;

杨美基 ;

爱德华·J·诺瓦克 .

中国专利 :CN100367500C ,2005-10-12

[10]

集成电路结构及其形成方法 [P].

赖盈妤 ;

林志轩 ;

陈玺中 ;

廖志腾 .

中国专利 :CN114496918A ,2022-05-13

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