耦合腔半导体激光器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411578174.6

申请日：

2024-11-06

公开(公告)号：

CN119496037A

公开(公告)日：

2025-02-21

发明(设计)人：

董重张振宁黄永箴肖金龙杨跃德

申请人：

中国科学院半导体研究所

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01S5/10

IPC分类号：

H01S5/065 G01M11/02

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

肖慧

法律状态：

授权

国省代码：

北京市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-05	授权	授权
2025-02-21	公开	公开
2025-03-11	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01S 5/10申请日:20241106

共 50 条

[1]

耦合腔半导体激光器 [P].

董重 ;

张振宁 ;

黄永箴 ;

肖金龙 ;

杨跃德 .

中国专利 :CN119496037B ,2025-12-05

[2]

抗反馈耦合腔半导体激光器 [P].

郝友增 ;

黄永箴 ;

沈征征 ;

绳梦伟 ;

杨跃德 ;

肖金龙 .

中国专利 :CN114336281A ,2022-04-12

[3]

可调谐耦合腔半导体激光器 [P].

郝友增 ;

黄永箴 ;

杨跃德 ;

肖金龙 ;

王福丽 ;

汤敏 ;

翁海中 .

中国专利 :CN109638645B ,2019-04-16

[4]

半导体激光器 [P].

李亚理 ;

黄永箴 ;

李建成 ;

杨跃德 ;

肖金龙 .

中国专利 :CN118676733A ,2024-09-20

[5]

半导体激光器 [P].

张振宁 ;

黄永箴 ;

杨跃德 ;

肖金龙 .

中国专利 :CN115064936B ,2025-09-19

[6]

半导体激光器 [P].

张振宁 ;

黄永箴 ;

杨跃德 ;

肖金龙 .

中国专利 :CN115064936A ,2022-09-16

[7]

级联耦合微腔、级联耦合微腔半导体激光器及调控方法 [P].

请求不公布姓名 ;

张恩慈 .

中国专利 :CN117277053B ,2024-02-20

[8]

单片集成窄线宽耦合腔半导体激光器 [P].

绳梦伟 ;

郝友增 ;

黄永箴 ;

杨跃德 ;

肖金龙 ;

刘家辰 .

中国专利 :CN114050473B ,2024-10-22

[9]

单片集成窄线宽耦合腔半导体激光器 [P].

绳梦伟 ;

郝友增 ;

黄永箴 ;

杨跃德 ;

肖金龙 ;

刘家辰 .

中国专利 :CN114050473A ,2022-02-15

[10]

外腔式半导体激光器 [P].

肖云峰 ;

张方醒 ;

季胜强 ;

孙伽略 ;

柏雁捷 ;

皇甫胜男 .

中国专利 :CN115473122A ,2022-12-13

← 1 2 3 4 5 →