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一种氮化镓器件结构及其制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202411623085.9
申请日
:
2024-11-14
公开(公告)号
:
CN119545836A
公开(公告)日
:
2025-02-28
发明(设计)人
:
吕纲
丁晓峰
李林
彭律章
许童童
程若昀
申请人
:
北京航空航天大学
申请人地址
:
100191 北京市海淀区学院路37号
IPC主分类号
:
H10D30/01
IPC分类号
:
H10D30/47
H01L21/26
代理机构
:
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201
代理人
:
杜月
法律状态
:
公开
国省代码
:
北京市 市辖区
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-02-28
公开
公开
2025-03-18
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/01申请日:20241114
共 50 条
[1]
一种氮化镓器件结构
[P].
司乙川
论文数:
0
引用数:
0
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机构:
英诺赛科(珠海)科技有限公司
英诺赛科(珠海)科技有限公司
司乙川
;
严慧
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机构:
英诺赛科(珠海)科技有限公司
英诺赛科(珠海)科技有限公司
严慧
;
冼添恒
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机构:
英诺赛科(珠海)科技有限公司
英诺赛科(珠海)科技有限公司
冼添恒
;
张昕
论文数:
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机构:
英诺赛科(珠海)科技有限公司
英诺赛科(珠海)科技有限公司
张昕
.
中国专利
:CN117558749B
,2024-05-03
[2]
一种氮化镓器件结构
[P].
司乙川
论文数:
0
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机构:
英诺赛科(珠海)科技有限公司
英诺赛科(珠海)科技有限公司
司乙川
;
严慧
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机构:
英诺赛科(珠海)科技有限公司
英诺赛科(珠海)科技有限公司
严慧
;
冼添恒
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机构:
英诺赛科(珠海)科技有限公司
英诺赛科(珠海)科技有限公司
冼添恒
;
张昕
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机构:
英诺赛科(珠海)科技有限公司
英诺赛科(珠海)科技有限公司
张昕
.
中国专利
:CN117558749A
,2024-02-13
[3]
氮化镓器件结构及其制备方法
[P].
卢敬权
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卢敬权
;
殷淑仪
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殷淑仪
;
邓广柱
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邓广柱
;
叶幸娟
论文数:
0
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0
叶幸娟
.
中国专利
:CN115692341A
,2023-02-03
[4]
氮化镓器件结构及其制备方法
[P].
母凤文
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母凤文
;
赫然
论文数:
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赫然
.
中国专利
:CN107039373A
,2017-08-11
[5]
一种氮化镓器件结构及其制备方法
[P].
司乙川
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机构:
英诺赛科(珠海)科技有限公司
英诺赛科(珠海)科技有限公司
司乙川
;
周韧林
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机构:
英诺赛科(珠海)科技有限公司
英诺赛科(珠海)科技有限公司
周韧林
.
中国专利
:CN117374115A
,2024-01-09
[6]
一种氮化镓器件制备方法及氮化镓器件
[P].
廖富达
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机构:
广东省科学院半导体研究所
广东省科学院半导体研究所
廖富达
;
苗振林
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机构:
广东省科学院半导体研究所
广东省科学院半导体研究所
苗振林
;
任星霖
论文数:
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机构:
广东省科学院半导体研究所
广东省科学院半导体研究所
任星霖
;
卢小杰
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机构:
广东省科学院半导体研究所
广东省科学院半导体研究所
卢小杰
;
论文数:
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机构:
何晨光
;
论文数:
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机构:
赵维
;
论文数:
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机构:
陈志涛
.
中国专利
:CN119767726A
,2025-04-04
[7]
氮化镓器件及其制备方法
[P].
武占侠
论文数:
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武占侠
;
王祥
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王祥
;
洪海敏
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洪海敏
;
刘飞飞
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刘飞飞
;
温雷
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温雷
;
文豪
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文豪
;
卜小松
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卜小松
.
中国专利
:CN114864686A
,2022-08-05
[8]
氮化镓器件及其制备方法
[P].
武盛
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机构:
中兴通讯股份有限公司
中兴通讯股份有限公司
武盛
;
代云飞
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机构:
中兴通讯股份有限公司
中兴通讯股份有限公司
代云飞
;
张煜
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机构:
中兴通讯股份有限公司
中兴通讯股份有限公司
张煜
;
别业楠
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机构:
中兴通讯股份有限公司
中兴通讯股份有限公司
别业楠
;
刘海军
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机构:
中兴通讯股份有限公司
中兴通讯股份有限公司
刘海军
;
李文明
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机构:
中兴通讯股份有限公司
中兴通讯股份有限公司
李文明
.
中国专利
:CN119521704A
,2025-02-25
[9]
一种氮化镓复合基板、氮化镓器件及其制备方法
[P].
尹志军
论文数:
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尹志军
;
崔国新
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崔国新
;
冯会会
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冯会会
;
许志城
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0
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0
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0
许志城
.
中国专利
:CN112259604A
,2021-01-22
[10]
一种氮化镓器件及其制备方法
[P].
韦建松
论文数:
0
引用数:
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机构:
英诺赛科(苏州)半导体有限公司
英诺赛科(苏州)半导体有限公司
韦建松
;
金航帅
论文数:
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机构:
英诺赛科(苏州)半导体有限公司
英诺赛科(苏州)半导体有限公司
金航帅
;
刘少锋
论文数:
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机构:
英诺赛科(苏州)半导体有限公司
英诺赛科(苏州)半导体有限公司
刘少锋
;
杨凯
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机构:
英诺赛科(苏州)半导体有限公司
英诺赛科(苏州)半导体有限公司
杨凯
;
杨玉平
论文数:
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机构:
英诺赛科(苏州)半导体有限公司
英诺赛科(苏州)半导体有限公司
杨玉平
.
中国专利
:CN117542882A
,2024-02-09
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