氮化镓器件结构及其制备方法

被引：0

申请号：

CN202211138896.0

申请日：

2022-09-19

公开(公告)号：

CN115692341A

公开(公告)日：

2023-02-03

发明(设计)人：

卢敬权殷淑仪邓广柱叶幸娟

申请人：

申请人地址：

523000 广东省东莞市企石镇科技工业园

IPC主分类号：

H01L23367

IPC分类号：

H01L2150

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

罗泳文

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-02-03	公开	公开

共 50 条

[1]

氮化镓器件结构及其制备方法 [P].

母凤文 ;

赫然 .

中国专利 :CN107039373A ,2017-08-11

[2]

氮化镓器件及其制备方法 [P].

武占侠 ;

王祥 ;

洪海敏 ;

刘飞飞 ;

温雷 ;

文豪 ;

卜小松 .

中国专利 :CN114864686A ,2022-08-05

[3]

氮化镓器件结构 [P].

母凤文 ;

赫然 .

中国专利 :CN207134352U ,2018-03-23

[4]

氮化镓器件及其制备方法 [P].

武盛 ;

代云飞 ;

张煜 ;

别业楠 ;

刘海军 ;

李文明 .

中国专利 :CN119521704A ,2025-02-25

[5]

一种氮化镓器件结构及其制备方法 [P].

吕纲 ;

丁晓峰 ;

李林 ;

彭律章 ;

许童童 ;

程若昀 .

中国专利 :CN119545836A ,2025-02-28

[6]

一种氮化镓器件结构及其制备方法 [P].

司乙川 ;

周韧林 .

中国专利 :CN117374115A ,2024-01-09

[7]

氮化镓半导体结构及其制备方法 [P].

郝茂盛 ;

袁根如 ;

张楠 ;

陈朋 ;

马艳红 .

中国专利 :CN113299736A ,2021-08-24

[8]

氮化镓半导体结构及其制备方法 [P].

郝茂盛 ;

袁根如 ;

张楠 ;

陈朋 ;

马艳红 .

中国专利 :CN113299736B ,2025-01-21

[9]

氮化镓电子器件及其制备方法 [P].

王圣淳 ;

李金娟 ;

王建峰 .

中国专利 :CN120730768A ,2025-09-30

[10]

氮化镓半导体器件及其制备方法 [P].

王圣淳 ;

李金娟 ;

徐琳 ;

王建峰 .

中国专利 :CN120769531A ,2025-10-10

← 1 2 3 4 5 →