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氮化镓半导体结构及其制备方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202110549559.X
申请日：
2021-05-20
公开(公告)号：
CN113299736B
公开(公告)日：
2025-01-21
发明(设计)人：
郝茂盛
袁根如
张楠
陈朋
马艳红
申请人：
上海芯元基半导体科技有限公司
申请人地址：
201210 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区祥科路111号3号楼507-2室
IPC主分类号：
H10D62/10
IPC分类号：
H10D64/62
H10D64/64
H10D62/85
H01L21/28
代理机构：
上海光华专利事务所(普通合伙) 31219
代理人：
卢炳琼
法律状态：
授权
国省代码：
上海市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-01-21 | 授权 | 授权 |