一种碳化硅功率二极管及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010059519.2

申请日：

2020-01-19

公开(公告)号：

CN113140639B

公开(公告)日：

2025-02-21

发明(设计)人：

陈道坤史波曾丹敖利波

申请人：

珠海零边界集成电路有限公司珠海格力电器股份有限公司

申请人地址：

519015 广东省珠海市香洲区吉大景山路莲山巷8号1001室

IPC主分类号：

H10D8/60

IPC分类号：

H10D8/01 H10D62/83

代理机构：

北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291

代理人：

刘红彬

法律状态：

授权

国省代码：

广东省珠海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-21	授权	授权

共 50 条

[1]

一种碳化硅功率二极管及其制作方法 [P].

陈道坤 ;

史波 ;

曾丹 ;

敖利波 .

中国专利 :CN113140639A ,2021-07-20

[2]

一种碳化硅功率二极管 [P].

陈道坤 ;

史波 ;

曾丹 ;

敖利波 .

中国专利 :CN211828777U ,2020-10-30

[3]

碳化硅二极管及其制备方法 [P].

何钧 ;

郑柳 .

中国专利 :CN109473485A ,2019-03-15

[4]

一种碳化硅功率二极管器件及其制作方法 [P].

张金平 ;

邹华 ;

刘竞秀 ;

李泽宏 ;

任敏 ;

张波 .

中国专利 :CN107256884B ,2017-10-17

[5]

碳化硅二极管及其制备方法 [P].

王辉 ;

蔡勇 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN106298967B ,2017-01-04

[6]

一种碳化硅二极管及其制备方法 [P].

郑柳 .

中国专利 :CN121240472A ,2025-12-30

[7]

一种碳化硅肖特基二极管及其制作方法 [P].

孙清清 ;

郑珊 ;

房润辰 ;

张卫 ;

王鹏飞 ;

周鹏 .

中国专利 :CN102842599A ,2012-12-26

[8]

一种碳化硅肖特基二极管及其制作方法 [P].

史伟民 .

中国专利 :CN113851528A ,2021-12-28

[9]

一种碳化硅探测二极管及制作方法 [P].

黄润华 ;

汪玲 ;

陈刚 ;

柏松 .

中国专利 :CN107452831A ,2017-12-08

[10]

高浪涌电流能力碳化硅二极管及其制作方法 [P].

朱袁正 ;

杨卓 ;

周锦程 ;

叶鹏 .

中国专利 :CN109192789A ,2019-01-11

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