一种垂直型锗硅雪崩光电探测器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411703946.4

申请日：

2024-11-26

公开(公告)号：

CN119562613A

公开(公告)日：

2025-03-04

发明(设计)人：

韩钊王利明王文亮

申请人：

西安知芯半导体有限公司

申请人地址：

710116 陕西省西安市西咸新区沣东新城科源四路与沣东大道交叉路口西部生命科技园9号楼301室

IPC主分类号：

H10F30/225

IPC分类号：

H10F71/00 H10F77/14 H10F77/30

代理机构：

西安通大专利代理有限责任公司 61200

代理人：

张少义

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-21	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10F 30/225申请日:20241126
2025-03-04	公开	公开

共 50 条

[1]

一种反射型锗硅雪崩光电探测器 [P].

孙耀东 ;

陈必更 ;

虞绍良 .

中国专利 :CN117334761A ,2024-01-02

[2]

一种锗硅雪崩光电探测器及其制备方法 [P].

刘道群 ;

王磊 ;

李科 ;

贺志学 .

中国专利 :CN120857694A ,2025-10-28

[3]

一种锗硅雪崩光电探测器 [P].

宋俊峰 ;

王欣伟 ;

李雨轩 ;

刘晓斌 ;

李雪妍 ;

郜峰利 .

中国专利 :CN112531067B ,2021-03-19

[4]

垂直型锗硅光电探测器及其制备方法 [P].

潘荷 ;

郝沁汾 .

中国专利 :CN117239002B ,2024-01-26

[5]

一种锗硅雪崩光电探测器 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN216528921U ,2022-05-13

[6]

一种锗硅雪崩光电探测器 [P].

杜思超 ;

张云洋 ;

赵杰 .

中国专利 :CN220851373U ,2024-04-26

[7]

硅基锗雪崩光电探测器阵列及其制备方法 [P].

陈仙 ;

张静 ;

张培健 ;

唐昭焕 ;

崔伟 ;

谭开洲 .

中国专利 :CN111710751A ,2020-09-25

[8]

一种锗硅雪崩光电探测器及其制作方法 [P].

王磊 ;

肖希 ;

陈代高 ;

胡晓 ;

张宇光 ;

李淼峰 ;

余少华 .

中国专利 :CN111883608B ,2020-11-03

[9]

一种具有ITO电极的垂直型锗硅光电探测器及其制备方法 [P].

程秀兰 ;

李雅倩 ;

王晓东 ;

付学成 ;

刘民 ;

权雪玲 .

中国专利 :CN113130674A ,2021-07-16

[10]

一种横向结构锗/硅异质结雪崩光电探测器及其制备方法 [P].

成步文 ;

刘智 ;

武文周 ;

薛春来 ;

李传波 ;

张华 .

中国专利 :CN107068784B ,2017-08-18

← 1 2 3 4 5 →