一种应力作用下薄膜铁电方向探测装置及方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202510099286.1
申请日
2025-01-22
公开(公告)号
CN119555646A
公开(公告)日
2025-03-04
发明(设计)人
武诗瑶 王洁素 苗起源 常凯
申请人
北京量子信息科学研究院
申请人地址
100094 北京市海淀区中关村软件园二期国际与区域协同创新中心A座
IPC主分类号
G01N21/63
IPC分类号
G01N1/28 G01N21/01
代理机构
北京中企讯专利代理事务所(普通合伙) 11677
代理人
董建康
法律状态
公开
国省代码
北京市
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共 50 条
[1]
一种应力作用下薄膜铁电方向探测装置及方法 [P]. 
武诗瑶 ;
王洁素 ;
苗起源 ;
常凯 .
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[9]
一种IGBT器件的多应力作用测试系统及方法 [P]. 
邓二平 ;
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