MOS管驱动电路

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202411502470.8
申请日
2024-10-25
公开(公告)号
CN119519683A
公开(公告)日
2025-02-25
发明(设计)人
李鑫 易用环 霍旺
申请人
成都迪越电子技术有限公司
申请人地址
611730 四川省成都市高新西区西芯大道3号国腾科技园4栋2楼201号
IPC主分类号
H03K17/691
IPC分类号
H03K17/08 H02M1/08 H02M1/32
代理机构
武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙) 42231
代理人
张璐
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
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一种多路SiC MOS管驱动电路 [P]. 
薛开昶 ;
罗宗鑫 ;
唐德宇 .
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[50]
一种多路SiC MOS管驱动电路 [P]. 
薛开昶 ;
罗宗鑫 ;
唐德宇 .
中国专利 :CN208226982U ,2018-12-11