半导体激光装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202080105693.4

申请日：

2020-10-13

公开(公告)号：

CN116261817B

公开(公告)日：

2025-02-25

发明(设计)人：

内山麻美大和屋武

申请人：

三菱电机株式会社

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01S5/026

IPC分类号：

H01S5/068

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

卢英日

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-25	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体激光装置及其制造方法 [P].

田代贺久 ;

川津善平 ;

西口晴美 ;

八木哲哉 ;

岛显洋 .

中国专利 :CN1359179A ,2002-07-17

[2]

半导体激光装置及其制造方法 [P].

横山毅 ;

鹿岛孝之 ;

牧田幸治 .

中国专利 :CN101399431A ,2009-04-01

[3]

半导体激光装置及其制造方法 [P].

高山彻 ;

佐藤智也 ;

早川功一 ;

木户口勋 .

中国专利 :CN101123343A ,2008-02-13

[4]

半导体激光器芯片及其制造方法、半导体激光装置 [P].

川上俊之 ;

有吉章 .

中国专利 :CN102088162A ,2011-06-08

[5]

半导体激光装置及其制造方法 [P].

池原正博 .

中国专利 :CN1832277A ,2006-09-13

[6]

半导体激光装置及其制造方法 [P].

鹿岛孝之 ;

牧田幸治 ;

吉川兼司 .

中国专利 :CN101047302A ,2007-10-03

[7]

半导体激光装置及其制造方法 [P].

西山伸宏 .

中国专利 :CN1249869C ,2003-06-25

[8]

半导体激光装置的检查方法、以及半导体激光装置的检查装置 [P].

白崎昭生 .

日本专利 :CN114902506B ,2025-02-25

[9]

半导体激光装置的检查方法、以及半导体激光装置的检查装置 [P].

白崎昭生 .

中国专利 :CN114902506A ,2022-08-12

[10]

制造半导体激光装置的方法 [P].

喜根井聪文 .

中国专利 :CN1574518A ,2005-02-02

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