制造半导体激光装置的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410068432.2

申请日：

2004-05-09

公开(公告)号：

CN1574518A

公开(公告)日：

2005-02-02

发明(设计)人：

喜根井聪文

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01S500

IPC分类号：

H01L2158 H01L21603

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波;侯宇

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-02-02	公开	公开
2014-07-02	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101583454160 IPC(主分类):H01S 5/00 专利号:ZL2004100684322 申请日:20040509 授权公告日:20070404 终止日期:20130509
2005-04-06	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-04-04	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体激光装置 [P].

河内泰之 ;

上野明 ;

中西秀行 ;

吉村明夫 .

中国专利 :CN1173058A ,1998-02-11

[2]

半导体激光装置 [P].

宫岛博文 ;

菅博文 ;

山中正宣 .

中国专利 :CN1906820A ,2007-01-31

[3]

半导体激光装置及其制造方法 [P].

田代贺久 ;

川津善平 ;

西口晴美 ;

八木哲哉 ;

岛显洋 .

中国专利 :CN1359179A ,2002-07-17

[4]

半导体激光装置及其制造方法 [P].

横山毅 ;

鹿岛孝之 ;

牧田幸治 .

中国专利 :CN101399431A ,2009-04-01

[5]

半导体激光装置及其制造方法 [P].

内山麻美 ;

大和屋武 .

日本专利 :CN116261817B ,2025-02-25

[6]

半导体激光装置及其制造方法 [P].

高山彻 ;

佐藤智也 ;

早川功一 ;

木户口勋 .

中国专利 :CN101123343A ,2008-02-13

[7]

半导体激光装置及其制造方法 [P].

西山伸宏 .

中国专利 :CN1249869C ,2003-06-25

[8]

半导体激光器芯片及其制造方法、半导体激光装置 [P].

川上俊之 ;

有吉章 .

中国专利 :CN102088162A ,2011-06-08

[9]

半导体激光装置以及半导体激光装置的制造方法 [P].

高山彻 ;

中谷东吾 ;

永井洋希 ;

油本隆司 ;

横山毅 ;

高须贺祥一 .

中国专利 :CN115362609A ,2022-11-18

[10]

半导体激光装置的制造方法以及半导体激光装置 [P].

渊田步 ;

高濑祯 ;

中村直干 ;

铃木凉子 .

中国专利 :CN112438001B ,2021-03-02

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