半导体激光装置的制造方法以及半导体激光装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880095693.3

申请日：

2018-07-31

公开(公告)号：

CN112438001B

公开(公告)日：

2021-03-02

发明(设计)人：

渊田步高濑祯中村直干铃木凉子

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01S5227

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

李洋;王培超

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-03-19	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01S 5/227 申请日:20180731
2021-03-02	公开	公开
2022-06-24	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体激光装置以及半导体激光装置的制造方法 [P].

高山彻 ;

中谷东吾 ;

永井洋希 ;

油本隆司 ;

横山毅 ;

高须贺祥一 .

中国专利 :CN115362609A ,2022-11-18

[2]

半导体激光装置以及半导体激光装置的制造方法 [P].

白泷穗高 ;

丹羽显嗣 .

日本专利 :CN117426031A ,2024-01-19

[3]

半导体激光装置以及半导体激光元件 [P].

小野将之 ;

左文字克哉 ;

西川透 ;

浅香浩 ;

西辻充 ;

山田和弥 .

中国专利 :CN113454857A ,2021-09-28

[4]

半导体激光装置以及半导体激光元件 [P].

小野将之 ;

左文字克哉 ;

西川透 ;

浅香浩 ;

西辻充 ;

山田和弥 .

日本专利 :CN113454857B ,2024-11-01

[5]

半导体激光装置和半导体激光装置的制造方法 [P].

夏宏宇 ;

刘应军 ;

刘巍 .

中国专利 :CN119944437A ,2025-05-06

[6]

半导体激光元件及其制造方法、半导体激光装置 [P].

绵谷力 ;

宫下宗治 ;

西田武弘 .

日本专利 :CN114762201B ,2024-12-20

[7]

半导体激光芯片及其制造方法、半导体激光装置 [P].

方瑞禹 .

中国专利 :CN106207753A ,2016-12-07

[8]

半导体激光元件及其制造方法、半导体激光装置 [P].

绵谷力 ;

宫下宗治 ;

西田武弘 .

中国专利 :CN114762201A ,2022-07-15

[9]

半导体激光装置及半导体激光元件的制造方法 [P].

永井洋希 ;

久纳康光 ;

山田笃志 ;

中谷东吾 ;

荒木刚 .

日本专利 :CN118575377A ,2024-08-30

[10]

半导体激光装置、半导体激光装置的制造方法和光学装置 [P].

林伸彦 ;

吉川秀樹 ;

藏本慶一 ;

野村康彦 ;

後藤壮謙 ;

岡山芳央 ;

德永誠一 .

中国专利 :CN102244364A ,2011-11-16

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