一种半金属补偿亚铁磁材料及其制备方法和用途

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311046861.9

申请日：

2023-08-19

公开(公告)号：

CN119495481A

公开(公告)日：

2025-02-21

发明(设计)人：

梁瑾静刘永昌郗学奎

申请人：

中国科学院物理研究所

申请人地址：

100190 北京市海淀区中关村南三街8号

IPC主分类号：

H01F1/032

IPC分类号：

H01F41/00

代理机构：

北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280

代理人：

郭广迅;赵岩

法律状态：

公开

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-21	公开	公开
2025-03-11	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01F 1/032申请日:20230819

共 50 条

[1]

具有半金属性的补偿亚铁磁薄膜及制备方法 [P].

赵旭鹏 ;

孙宏利 ;

赵建华 .

中国专利 :CN113793898A ,2021-12-14

[2]

一种具有全补偿亚铁磁性和拓扑霍尔效应的层状范德华材料及其制备方法和应用 [P].

苏昆朋 ;

任笑宇 ;

邱焱能 ;

黄帅 ;

王海欧 ;

杨琳 .

中国专利 :CN121174922A ,2025-12-19

[3]

亚铁磁性半金属及其制备方法 [P].

龙有文 ;

刘哲宏 .

中国专利 :CN111574199B ,2020-08-25

[4]

一种复合永磁材料及其制备方法和用途 [P].

李玉平 ;

孙永阳 ;

张云逸 ;

蒋云涛 .

中国专利 :CN114068118B ,2022-02-18

[5]

一种弱畴壁钉扎的亚铁磁材料及其应用 [P].

罗昭初 ;

杨金波 ;

杨文云 ;

韩景智 ;

方晓筱 ;

李昌锋 .

中国专利 :CN119522029A ,2025-02-25

[6]

一种具有交换偏置效应的磁存储半金属材料及其制备方法 [P].

李浩宇 ;

高湉 .

中国专利 :CN114892054A ,2022-08-12

[7]

一种铁磁金属材料及其制备方法和应用 [P].

段磊 ;

靳常青 ;

望贤成 .

中国专利 :CN113481420B ,2021-10-08

[8]

一种铁氧体材料及其制备方法和用途 [P].

吕飞雨 ;

王媛珍 ;

张利康 ;

徐毅 ;

周新成 .

中国专利 :CN112358290B ,2021-02-12

[9]

一种磁性材料及其制备方法和应用 [P].

罗昭初 ;

杨金波 ;

杨文云 ;

韩景智 ;

方晓筱 ;

李昌锋 .

中国专利 :CN119480318A ,2025-02-18

[10]

一种稀土-镍材料及其制备方法和用途 [P].

董巧燕 ;

沈保根 ;

陈静 ;

胡凤霞 ;

孙继荣 .

中国专利 :CN102864356B ,2013-01-09

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