一种半金属补偿亚铁磁材料及其制备方法和用途

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202311046861.9
申请日
2023-08-19
公开(公告)号
CN119495481A
公开(公告)日
2025-02-21
发明(设计)人
梁瑾静 刘永昌 郗学奎
申请人
中国科学院物理研究所
申请人地址
100190 北京市海淀区中关村南三街8号
IPC主分类号
H01F1/032
IPC分类号
H01F41/00
代理机构
北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280
代理人
郭广迅;赵岩
法律状态
公开
国省代码
北京市
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共 50 条
[41]
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一种钐铁氮磁材料及其制备方法和应用 [P]. 
陈志庆 ;
吴茂林 ;
师大伟 ;
崔韵 ;
单爱革 ;
李艳 .
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一种多组元金属氧化物光磁材料及其制备方法和应用 [P]. 
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