一种近红外二区寿命增强的长余辉/碳点复合纳米材料、制备方法及应用

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202411556590.6
申请日
2024-11-04
公开(公告)号
CN119490849A
公开(公告)日
2025-02-21
发明(设计)人
阿不都卡德尔·阿不都克尤木 郑亚琳
申请人
喀什大学
申请人地址
844007 新疆维吾尔自治区喀什地区喀什市学府大道新泉校区
IPC主分类号
C09K11/66
IPC分类号
C09K11/65 C09K11/02 B82Y20/00 B82Y40/00 G01N21/64
代理机构
天津佳盟知识产权代理有限公司 12002
代理人
林玉慧
法律状态
公开
国省代码
新疆维吾尔自治区 喀什地区
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共 50 条
[1]
一种近红外二区发光复合纳米材料及制备方法 [P]. 
阿不都卡德尔·阿不都克尤木 ;
谢青青 ;
乔湘凯 .
中国专利 :CN118652684A ,2024-09-17
[2]
一种近红外二区余辉发光的长余辉/双钙钛矿复合纳米材料及制备方法 [P]. 
阿不都卡德尔·阿不都克尤木 ;
龙钢 .
中国专利 :CN117946662A ,2024-04-30
[3]
一种近红外一区激发近红外二区发射的复合纳米材料及制备方法 [P]. 
阿不都卡德尔·阿不都克尤木 ;
李厚霖 ;
鲁克曼·喀斯木 .
中国专利 :CN118085866A ,2024-05-28
[4]
一种近红外二区发光增强稀土纳米材料、其制备方法及其生物成像应用 [P]. 
苏倩倩 ;
周明珠 ;
常庆 ;
刘亚冲 ;
邹茜 ;
王明凯 ;
杨雨欣 .
中国专利 :CN114276808A ,2022-04-05
[5]
一种具有近红外二区响应的碳量子点及其制备方法和应用 [P]. 
杨方麒 ;
吴鲁艳 ;
范曲立 .
中国专利 :CN118956391A ,2024-11-15
[6]
一种具有近红外二区响应的碳量子点及其制备方法和应用 [P]. 
杨方麒 ;
吴鲁艳 ;
范曲立 .
中国专利 :CN118956391B ,2025-09-05
[7]
一种近红外二区成像量子点材料及其制备方法和应用 [P]. 
郭东波 ;
徐琴 .
中国专利 :CN120924280A ,2025-11-11
[8]
一种长余辉近红外碳基荧光纳米材料及其制备方法和应用 [P]. 
王伟 ;
王忠霞 ;
高元飞 ;
王文娟 .
中国专利 :CN109777409B ,2019-05-21
[9]
磁场下合成近红外二区响应的氮掺杂碳量子点及其制备方法与应用 [P]. 
王辉 ;
钱勇 .
中国专利 :CN117327485B ,2025-03-25
[10]
磁场下合成近红外二区响应的氮掺杂碳量子点及其制备方法与应用 [P]. 
王辉 ;
钱勇 .
中国专利 :CN117327485A ,2024-01-02