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ヘテロ構造に基づく電子部品を集積して、機械的応力を低減した半導体電子デバイス[ja]
被引:0
申请号
:
JP20240119313
申请日
:
2024-07-25
公开(公告)号
:
JP2025023903A
公开(公告)日
:
2025-02-19
发明(设计)人
:
RICCARDO DEPETRO
申请人
:
ST MICROELECTRONICS INT NV
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H10D30/47
IPC分类号
:
H10D30/83
H10D30/87
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
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共 50 条
[1]
光電子半導体デバイス、光電子半導体デバイスのアレイ、及び光電子半導体デバイスを製造する方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2024526040A
,2024-07-17
[2]
有機半導体材料を含んでいる電子デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JP6014027B2
,2016-10-25
[3]
有機半導体材料を含んでいる電子デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JP6343311B2
,2018-06-13
[4]
誘電体材料を含む個別要素又は半導体デバイスを含む集積回路デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JP5650185B2
,2015-01-07
[5]
低減した格子ひずみを備えた半導体材料、同様に包含する半導体構造体、デバイス、および、加工された基板を製造する方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5907730B2
,2016-04-26
[6]
導電性粒子及びそれを適用した担体材料、並びに、燃料電池デバイス及び水電解デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JP6372695B2
,2018-08-15
[7]
表面電荷に対して低減された感度を有する構造及び方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2017509141A
,2017-03-30
[8]
ヘテロアセン型化合物、有機半導体材料、及び有機電子デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2012073888A1
,2014-05-19
[9]
バンク構造を有する有機電子デバイスの製造方法、これにより製造されたバンク構造および電子デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JP2016503580A
,2016-02-04
[10]
新規な有機半導体材料およびそれを用いた電子デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JP5891646B2
,2016-03-23
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