一种SiC<sub>f</sub>/SiC陶瓷基复合材料及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311193072.8

申请日：

2023-09-15

公开(公告)号：

CN119638431A

公开(公告)日：

2025-03-18

发明(设计)人：

杨金山董绍明张禹陈小武薛玉冬

申请人：

中国科学院上海硅酸盐研究所

申请人地址：

200050 上海市长宁区定西路1295号

IPC主分类号：

C04B35/577

IPC分类号：

C04B35/80 C04B35/622 C04B35/628

代理机构：

上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261

代理人：

曹芳玲;郑优丽

法律状态：

公开

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-18	公开	公开
2025-04-04	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C04B 35/577申请日:20230915

共 50 条

[1]

一种SiC<sub>f</sub>/SiC陶瓷基复合材料及其制备方法 [P].

杨金山 ;

董绍明 ;

张禹 ;

薛玉冬 ;

罗瀚 .

中国专利 :CN118420348A ,2024-08-02

[2]

一种NITE-SiC<sub>f</sub>/SiC陶瓷基复合材料及其制备方法 [P].

杨金山 ;

沈旭 ;

董绍明 ;

田力 ;

蔡飞燕 .

中国专利 :CN119661244A ,2025-03-21

[3]

一种SiC纳米线增强SiC陶瓷基复合材料及其制备方法 [P].

杨丽霞 ;

丁扬 ;

陈照峰 .

中国专利 :CN114573357A ,2022-06-03

[4]

一种高导热SiC<sub>f</sub>/SiC复合材料及其制备方法 [P].

王衍飞 ;

陈祥健 ;

刘荣军 ;

李端 .

中国专利 :CN118084500A ,2024-05-28

[5]

一种具有复合界面的SiCf/SiC陶瓷基复合材料及其制备方法 [P].

余盛杰 ;

其他发明人请求不公开姓名 .

中国专利 :CN109553430A ,2019-04-02

[6]

一种C/SiC陶瓷基复合材料及其制备方法 [P].

杨小健 ;

刘俊鹏 ;

于艺 ;

于新民 ;

刘伟 ;

郑旭 .

中国专利 :CN113929480A ,2022-01-14

[7]

一种用于块状SiC<sub>f</sub>/SiC陶瓷基复合材料构件的修复方法 [P].

杜宝瑞 ;

林红娇 ;

蔡翔宇 ;

姚俊 .

中国专利 :CN118978408A ,2024-11-19

[8]

一种SiC<sub>f</sub>/SiC陶瓷基复合材料斜小孔钻削加工方法 [P].

刘秀梅 ;

杨卓勇 ;

王园园 ;

吴晓锋 ;

刘智武 ;

梁忠效 ;

刘军团 ;

林琳 .

中国专利 :CN117359793A ,2024-01-09

[9]

一种ZrB<sub>2</sub>/SiC陶瓷基复合材料及其制备方法和应用 [P].

贾瑜军 ;

刘思剑 ;

胡吉盛 ;

代梦羽 .

中国专利 :CN118125826A ,2024-06-04

[10]

SiBCN界面层、SiBCN界面层保护SiC<sub>f</sub>/SiC陶瓷基复合材料及其制备方法 [P].

廖春景 ;

董绍明 ;

胡建宝 ;

阚艳梅 ;

陈小武 ;

于峰 ;

徐兵 ;

林玲 .

中国专利 :CN117945764A ,2024-04-30

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