学术探索
学术期刊
学术作者
新闻热点
数据分析
智能评审

一种具有复合界面的SiCf/SiC陶瓷基复合材料及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201910040266.1
申请日：
2019-01-16
公开(公告)号：
CN109553430A
公开(公告)日：
2019-04-02
发明(设计)人：
余盛杰 其他发明人请求不公开姓名
申请人：
申请人地址：
215400 江苏省苏州市太仓市城厢镇人民南路162号
IPC主分类号：
C04B3580
IPC分类号：
C04B35565 C04B35622
代理机构：
代理人：
法律状态：
发明专利申请公布后的视为撤回
国省代码：
引用
下载
收藏
法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2021-10-26 发明专利申请公布后的视为撤回 发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C04B 35/80 申请公布日:20190402
2019-04-26 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 35/80 申请日:20190116
2019-04-02 公开 公开
共 50 条
[1]
一种具有复合界面的SiCf/SiC陶瓷基复合材料 [P]. 
陈照峰 ;
余盛杰 .
中国专利 :CN107540400A ,2018-01-05
[2]
一种含SiBNC-PyC复合界面的SiCf/SiC陶瓷基复合材料的制备方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN108863420A ,2018-11-23
[3]
一种SiC纳米线增强SiC陶瓷基复合材料及其制备方法 [P]. 
杨丽霞 ;
丁扬 ;
陈照峰 .
中国专利 :CN114573357A ,2022-06-03
[4]
一种SiC<sub>f</sub>/SiC陶瓷基复合材料及其制备方法 [P]. 
杨金山 ;
董绍明 ;
张禹 ;
薛玉冬 ;
罗瀚 .
中国专利 :CN118420348A ,2024-08-02
[5]
一种SiC<sub>f</sub>/SiC陶瓷基复合材料及其制备方法 [P]. 
杨金山 ;
董绍明 ;
张禹 ;
陈小武 ;
薛玉冬 .
中国专利 :CN119638431A ,2025-03-18
[6]
一种钇改性SiCf/SiC陶瓷基复合材料及其制备方法 [P]. 
刘虎 ;
吕晓旭 ;
齐哲 ;
周怡然 ;
杨金华 ;
焦健 ;
高晔 ;
姜卓钰 ;
艾莹珺 .
中国专利 :CN110436955B ,2019-11-12
[7]
一种具有难熔金属碳化物界面的C/SiC陶瓷基复合材料及其制备方法 [P]. 
陈照峰 ;
薛立平 ;
杨丽霞 .
中国专利 :CN112010663B ,2020-12-01
[8]
一种C/SiC陶瓷基复合材料及其制备方法 [P]. 
杨小健 ;
刘俊鹏 ;
于艺 ;
于新民 ;
刘伟 ;
郑旭 .
中国专利 :CN113929480A ,2022-01-14
[9]
一种导热SiC陶瓷基复合材料及其制备方法 [P]. 
王震 ;
蔡瑜 .
中国专利 :CN119059822A ,2024-12-03
[10]
一种SiC粘结的陶瓷基复合材料及其制备方法 [P]. 
陈照峰 ;
余盛杰 .
中国专利 :CN104177113A ,2014-12-03
12345