一种导热SiC陶瓷基复合材料及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411572448.0

申请日：

2024-11-06

公开(公告)号：

CN119059822A

公开(公告)日：

2024-12-03

发明(设计)人：

王震蔡瑜

申请人：

乌镇实验室

申请人地址：

314500 浙江省嘉兴市桐乡市稻乐路925号

IPC主分类号：

C04B35/571

IPC分类号：

C04B35/80 C04B35/622

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

关浩坚

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-19	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回IPC(主分类):C04B 35/571申请公布日:20241203
2024-12-20	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C04B 35/571申请日:20241106
2024-12-03	公开	公开

共 50 条

[1]

一种SiC粘结的陶瓷基复合材料及其制备方法 [P].

陈照峰 ;

余盛杰 .

中国专利 :CN104177113A ,2014-12-03

[2]

一种C/C-SiC-ZrC陶瓷基复合材料及其制备方法 [P].

陈照峰 ;

汪洋 .

中国专利 :CN103722823A ,2014-04-16

[3]

一种C-CNTF/HfC-SiC陶瓷基复合材料及其制备方法 [P].

闫丹 ;

郝乃蓉 ;

吴剑 ;

李冀蒙 ;

李志坚 ;

杨良伟 ;

刘伟 ;

刘俊鹏 ;

孙同臣 .

中国专利 :CN119430973A ,2025-02-14

[4]

一种具有复合界面的SiCf/SiC陶瓷基复合材料及其制备方法 [P].

余盛杰 ;

其他发明人请求不公开姓名 .

中国专利 :CN109553430A ,2019-04-02

[5]

一种SiC纳米线增强SiC陶瓷基复合材料及其制备方法 [P].

杨丽霞 ;

丁扬 ;

陈照峰 .

中国专利 :CN114573357A ,2022-06-03

[6]

一种SiC<sub>f</sub>/SiC陶瓷基复合材料及其制备方法 [P].

杨金山 ;

董绍明 ;

张禹 ;

薛玉冬 ;

罗瀚 .

中国专利 :CN118420348A ,2024-08-02

[7]

一种SiC纳米线增强SiC陶瓷基复合材料及其制备方法 [P].

李斌斌 ;

袁小森 ;

廖家豪 ;

陈照峰 ;

饶志远 .

中国专利 :CN108117403A ,2018-06-05

[8]

一种SiC纳米线增强SiC陶瓷基复合材料及其制备方法 [P].

李斌斌 ;

袁小森 ;

黄海泉 ;

毛帮笑 ;

汤浩 ;

饶志远 .

中国专利 :CN108329043A ,2018-07-27

[9]

一种SiC<sub>f</sub>/SiC陶瓷基复合材料及其制备方法 [P].

杨金山 ;

董绍明 ;

张禹 ;

陈小武 ;

薛玉冬 .

中国专利 :CN119638431A ,2025-03-18

[10]

一种ZrB<sub>2</sub>/SiC陶瓷基复合材料及其制备方法和应用 [P].

贾瑜军 ;

刘思剑 ;

胡吉盛 ;

代梦羽 .

中国专利 :CN118125826A ,2024-06-04

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