一种分立器件中沟槽结构制备方法及分立器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411524230.8

申请日：

2024-10-29

公开(公告)号：

CN119630043A

公开(公告)日：

2025-03-14

发明(设计)人：

王川黄文康熊育飞黎钟磬

申请人：

上海鼎泰匠芯科技有限公司

申请人地址：

201203 上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区鸿音路600号

IPC主分类号：

H10D64/01

IPC分类号：

H10D64/27

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

彭鲲鹏

法律状态：

公开

国省代码：

上海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-14	公开	公开
2025-04-11	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 64/01申请日:20241029

共 50 条

[1]

一种分立器件及分立器件散热装置 [P].

杨伟东 .

中国专利 :CN215815853U ,2022-02-11

[2]

一种分立器件的封装方法及分立器件 [P].

黄冕 .

中国专利 :CN106601699A ,2017-04-26

[3]

一种分立器件的封装方法及分立器件 [P].

黄冕 .

中国专利 :CN110268510B ,2019-09-20

[4]

一种制备沟槽半导体分立器件的方法 [P].

苏冠创 .

中国专利 :CN103219241A ,2013-07-24

[5]

分立器件及分立器件散热装置 [P].

李东亚 .

中国专利 :CN121192069A ,2025-12-23

[6]

一种沟槽半导体分立器件的制备方法 [P].

苏冠创 .

中国专利 :CN103187287A ,2013-07-03

[7]

一种改善晶圆翘曲方法、分立器件制备方法以及分立器件 [P].

陈永坚 .

中国专利 :CN118263097A ,2024-06-28

[8]

一种制备沟槽半导体功率分立器件的方法 [P].

苏冠创 .

中国专利 :CN103187291A ,2013-07-03

[9]

一种沟槽半导体功率分立器件的制备方法 [P].

苏冠创 .

中国专利 :CN103187281B ,2013-07-03

[10]

一种低导通电阻分立器件及低导通电阻分立器件制备方法 [P].

王川 ;

熊育飞 ;

黎钟磬 ;

丁来建 .

中国专利 :CN119630039A ,2025-03-14

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