电容耦合栅控结型场效应晶体管

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202411500195.6
申请日
2024-10-25
公开(公告)号
CN119029050B
公开(公告)日
2025-03-07
发明(设计)人
彭地森
申请人
苏州龙驰半导体科技有限公司
申请人地址
215000 江苏省苏州市高新区金山路78号1-2幢Z101室B-216
IPC主分类号
H10D30/83
IPC分类号
H10D30/01 H10D8/60 H10D64/01 H10D64/23 H10D84/80
代理机构
北京科慧致远知识产权代理有限公司 11739
代理人
宋珊珊
法律状态
授权
国省代码
江苏省 常州市
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共 50 条
[1]
电容耦合栅控结型场效应晶体管 [P]. 
彭地森 .
中国专利 :CN119029050A ,2024-11-26
[2]
电容耦合栅控结型场效应晶体管 [P]. 
吴同飞 .
中国专利 :CN119947200A ,2025-05-06
[3]
电容耦合栅控结型场效应晶体管 [P]. 
吴同飞 .
中国专利 :CN119947200B ,2025-12-09
[4]
垂直型电容耦合栅控结型场效应晶体管 [P]. 
刘秘 .
中国专利 :CN118983342B ,2025-03-07
[5]
垂直型电容耦合栅控结型场效应晶体管 [P]. 
刘秘 .
中国专利 :CN118983342A ,2024-11-19
[6]
沟槽型电容耦合栅控结型场效应晶体管 [P]. 
彭地森 .
中国专利 :CN119069534A ,2024-12-03
[7]
垂直型电容耦合栅控结型场效应晶体管 [P]. 
吴同飞 ;
刘秘 .
中国专利 :CN119907273A ,2025-04-29
[8]
沟槽型电容耦合栅控结型场效应晶体管 [P]. 
彭地森 .
中国专利 :CN119069534B ,2025-04-29
[9]
垂直型电容耦合栅控结型场效应晶体管及其制备方法 [P]. 
张晓宇 ;
王畅畅 ;
岳丹诚 .
中国专利 :CN117637854A ,2024-03-01
[10]
垂直型电容耦合栅控结型场效应晶体管及其制备方法 [P]. 
张晓宇 ;
王畅畅 ;
岳丹诚 .
中国专利 :CN117637854B ,2024-04-19