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沟槽型电容耦合栅控结型场效应晶体管
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411555581.5
申请日：
2024-11-04
公开(公告)号：
CN119069534B
公开(公告)日：
2025-04-29
发明(设计)人：
彭地森
申请人：
苏州龙驰半导体科技有限公司
申请人地址：
215000 江苏省苏州市高新区金山路78号1-2幢Z101室B-216
IPC主分类号：
H10D30/66
IPC分类号：
H10D30/83
H10D62/10
代理机构：
北京科慧致远知识产权代理有限公司 11739
代理人：
宋珊珊
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
江苏省
常州市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-12-20 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/78申请日:20241104 |
| 2025-04-29 | 授权 | 授权 |
| 2024-12-03 | 公开 | 公开 |