半导体试验装置

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202380057006.X
申请日
2023-07-11
公开(公告)号
CN119678057A
公开(公告)日
2025-03-21
发明(设计)人
小南悟
申请人
罗姆股份有限公司
申请人地址
日本
IPC主分类号
G01R31/26
IPC分类号
H10D30/60 H10D30/01 H10D62/80
代理机构
北京银龙知识产权代理有限公司 11243
代理人
许静;范胜杰
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体试验装置 [P]. 
吉冈耕治 .
中国专利 :CN104094391A ,2014-10-08
[2]
半导体试验装置 [P]. 
丸山真生 .
中国专利 :CN105277865A ,2016-01-27
[3]
半导体试验装置 [P]. 
野中智己 .
中国专利 :CN103163441A ,2013-06-19
[4]
半导体试验装置 [P]. 
大岛英幸 .
中国专利 :CN1729400A ,2006-02-01
[5]
半导体试验装置 [P]. 
大岛英幸 .
中国专利 :CN100422756C ,2006-02-08
[6]
功率半导体元件试验装置 [P]. 
阪田茂男 ;
梶西孝博 ;
木原诚一郎 ;
高原博司 .
日本专利 :CN121114709A ,2025-12-12
[7]
功率半导体元件试验装置 [P]. 
阪田茂男 ;
梶西孝博 ;
木原诚一郎 ;
高原博司 .
日本专利 :CN120342195A ,2025-07-18
[8]
半导体试验装置、半导体试验方法以及半导体装置的制造方法 [P]. 
中西学 ;
上野和起 .
日本专利 :CN120188268A ,2025-06-20
[9]
半导体试验装置、半导体试验方法以及半导体装置的制造方法 [P]. 
中西学 ;
水野高博 .
日本专利 :CN115461630B ,2025-05-09
[10]
半导体试验装置、半导体试验方法以及半导体装置的制造方法 [P]. 
中西学 ;
水野高博 .
中国专利 :CN115461630A ,2022-12-09