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半导体试验装置
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202380057006.X
申请日
:
2023-07-11
公开(公告)号
:
CN119678057A
公开(公告)日
:
2025-03-21
发明(设计)人
:
小南悟
申请人
:
罗姆股份有限公司
申请人地址
:
日本
IPC主分类号
:
G01R31/26
IPC分类号
:
H10D30/60
H10D30/01
H10D62/80
代理机构
:
北京银龙知识产权代理有限公司 11243
代理人
:
许静;范胜杰
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-08-15
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):G01R 31/26申请日:20230711
2025-03-21
公开
公开
共 50 条
[1]
半导体试验装置
[P].
吉冈耕治
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
吉冈耕治
.
中国专利
:CN104094391A
,2014-10-08
[2]
半导体试验装置
[P].
丸山真生
论文数:
0
引用数:
0
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0
丸山真生
.
中国专利
:CN105277865A
,2016-01-27
[3]
半导体试验装置
[P].
野中智己
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
野中智己
.
中国专利
:CN103163441A
,2013-06-19
[4]
半导体试验装置
[P].
大岛英幸
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
大岛英幸
.
中国专利
:CN1729400A
,2006-02-01
[5]
半导体试验装置
[P].
大岛英幸
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
大岛英幸
.
中国专利
:CN100422756C
,2006-02-08
[6]
功率半导体元件试验装置
[P].
阪田茂男
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
阔智有限公司
阔智有限公司
阪田茂男
;
梶西孝博
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
阔智有限公司
阔智有限公司
梶西孝博
;
木原诚一郎
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
阔智有限公司
阔智有限公司
木原诚一郎
;
高原博司
论文数:
0
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0
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0
机构:
阔智有限公司
阔智有限公司
高原博司
.
日本专利
:CN121114709A
,2025-12-12
[7]
功率半导体元件试验装置
[P].
阪田茂男
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
阔智有限公司
阔智有限公司
阪田茂男
;
梶西孝博
论文数:
0
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机构:
阔智有限公司
阔智有限公司
梶西孝博
;
木原诚一郎
论文数:
0
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机构:
阔智有限公司
阔智有限公司
木原诚一郎
;
高原博司
论文数:
0
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0
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机构:
阔智有限公司
阔智有限公司
高原博司
.
日本专利
:CN120342195A
,2025-07-18
[8]
半导体试验装置、半导体试验方法以及半导体装置的制造方法
[P].
中西学
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
三菱电机株式会社
三菱电机株式会社
中西学
;
上野和起
论文数:
0
引用数:
0
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机构:
三菱电机株式会社
三菱电机株式会社
上野和起
.
日本专利
:CN120188268A
,2025-06-20
[9]
半导体试验装置、半导体试验方法以及半导体装置的制造方法
[P].
中西学
论文数:
0
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0
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0
机构:
三菱电机株式会社
三菱电机株式会社
中西学
;
水野高博
论文数:
0
引用数:
0
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机构:
三菱电机株式会社
三菱电机株式会社
水野高博
.
日本专利
:CN115461630B
,2025-05-09
[10]
半导体试验装置、半导体试验方法以及半导体装置的制造方法
[P].
中西学
论文数:
0
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0
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0
中西学
;
水野高博
论文数:
0
引用数:
0
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0
水野高博
.
中国专利
:CN115461630A
,2022-12-09
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