模型及其建立方法和系统、补偿方法、设备及存储介质

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专利类型
发明
申请号
CN202311217543.4
申请日
2023-09-19
公开(公告)号
CN119668038A
公开(公告)日
2025-03-21
发明(设计)人
王蓬勃 贺婷 张迎春
申请人
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请人地址
201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号
IPC主分类号
G03F7/20
IPC分类号
H01L21/67 G06F17/18
代理机构
上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327
代理人
严皖金;张雪琴
法律状态
实质审查的生效
国省代码
上海市
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共 50 条
[1]
模型及其建立方法和系统、补偿方法、设备及存储介质 [P]. 
贾敏 ;
聂智勇 ;
胡旭 ;
王兴荣 .
中国专利 :CN120029008A ,2025-05-23
[2]
模型的建立方法及系统、位置偏差补偿方法、设备及存储介质 [P]. 
王艳秋 ;
李甲兮 ;
朱皖骄 .
中国专利 :CN120831875A ,2025-10-24
[3]
OPC模型及其建立方法和系统、OPC方法、设备及存储介质 [P]. 
杜杳隽 .
中国专利 :CN116300297B ,2025-09-02
[4]
模型的建立方法及系统、版图修正方法、设备及存储介质 [P]. 
王艳秋 ;
丁丽华 ;
李甲兮 ;
邵宇辰 ;
程仁强 .
中国专利 :CN120779673A ,2025-10-14
[5]
模型建立方法、装置、设备及存储介质 [P]. 
池永为 ;
白彧 .
中国专利 :CN118627317A ,2024-09-10
[6]
模型建立方法、装置、设备及存储介质 [P]. 
池永为 ;
白彧 .
中国专利 :CN118627317B ,2025-01-21
[7]
船舶船体模型建立方法、系统、设备及存储介质 [P]. 
李海波 ;
蔡乾亚 ;
朱明华 ;
王尧 ;
朴香美 ;
孙浩月 .
中国专利 :CN118171386A ,2024-06-11
[8]
MOSFET器件模型建立方法、系统、设备及存储介质 [P]. 
田润 ;
柳龙九 .
中国专利 :CN118350344A ,2024-07-16
[9]
MOSFET器件模型建立方法、系统、设备及存储介质 [P]. 
田润 ;
柳龙九 .
中国专利 :CN118350344B ,2024-09-03
[10]
人体模型建立方法、设备和存储介质 [P]. 
王铁 ;
武守喜 ;
秦丽蓬 ;
吕硕颖 ;
左培文 ;
崔鸣 ;
马文双 ;
唐志诚 ;
戴淼 .
中国专利 :CN113903059B ,2022-01-07