一种高迁移率TCO薄膜及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411687670.5

申请日：

2024-11-25

公开(公告)号：

CN119571273A

公开(公告)日：

2025-03-07

发明(设计)人：

方奕锟李粮任周子超

申请人：

广东先导稀材股份有限公司

申请人地址：

511875 广东省清远市清新区禾云镇工业区（鱼坝公路旁）

IPC主分类号：

C23C14/35

IPC分类号：

C23C14/08 C23C14/32 C23C14/58

代理机构：

清远市诺誉知识产权代理事务所(普通合伙) 44815

代理人：

黄迅

法律状态：

公开

国省代码：

广东省清远市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-07	公开	公开
2025-03-25	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C23C 14/35申请日:20241125

共 50 条

[1]

一种具有高迁移率的透明导电薄膜及其制备方法 [P].

曹彦伟 ;

赵晨辰 ;

张如意 ;

张娇 ;

彭邵勤 ;

闫凯 ;

黄曦 .

中国专利 :CN120464976A ,2025-08-12

[2]

一种高透高迁移率ITO薄膜的制备方法 [P].

张悦 ;

庞先标 ;

刘曙光 ;

杨荣 .

中国专利 :CN112144029A ,2020-12-29

[3]

一种基于高迁移率TCO薄膜的低损耗光波导移相器 [P].

毕磊 ;

聂立霞 ;

王会丽 .

中国专利 :CN109001918A ,2018-12-14

[4]

高迁移率透明导电氧化物薄膜的制备方法 [P].

何永才 ;

崔鸽 ;

郁操 .

中国专利 :CN108103466A ,2018-06-01

[5]

高迁移率晶体管 [P].

H·尼米 ;

M·梅赫罗特拉 ;

R·L·怀斯 .

中国专利 :CN105849905B ,2016-08-10

[6]

一种高迁移率透明导电氧化物薄膜及其制备方法 [P].

黄仕华 ;

李林华 ;

郝亚非 .

中国专利 :CN113913764A ,2022-01-11

[7]

一种高迁移率衬底结构及其制备方法 [P].

孙兵 ;

刘洪刚 .

中国专利 :CN102569364B ,2012-07-11

[8]

一种高迁移率的铝掺杂氧化锌透明导电薄膜及其制备方法 [P].

杨晔 ;

朱科 ;

宋伟杰 ;

兰品君 ;

黄金华 .

中国专利 :CN103617831B ,2014-03-05

[9]

一种高迁移率低能耗的薄膜晶体管及其制备方法 [P].

岳兰 ;

孟繁新 .

中国专利 :CN119947535A ,2025-05-06

[10]

一种高迁移率层状硒氧化铋半导体薄膜及其制备方法 [P].

彭海琳 ;

吴金雄 ;

谭聪伟 .

中国专利 :CN106011783B ,2016-10-12

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