薄膜晶体管和电子器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311141557.2

申请日：

2023-09-05

公开(公告)号：

CN119653834A

公开(公告)日：

2025-03-18

发明(设计)人：

艾飞李壮

申请人：

武汉华星光电技术有限公司

申请人地址：

430079 湖北省武汉市东湖开发区高新大道666号生物城C5栋

IPC主分类号：

H10D30/67

IPC分类号：

H10D64/62

代理机构：

深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570

代理人：

赵佳

法律状态：

公开

国省代码：

河北省石家庄市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-18	公开	公开
2025-04-04	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/67申请日:20230905
2025-10-14	授权	授权

共 50 条

[1]

薄膜晶体管和电子器件 [P].

艾飞 ;

李壮 .

中国专利 :CN119653834B ,2025-10-14

[2]

垂直结构的薄膜晶体管和电子器件 [P].

李治福 ;

刘广辉 ;

艾飞 ;

宋德伟 ;

罗成志 .

中国专利 :CN115394857B ,2025-11-25

[3]

垂直结构的薄膜晶体管和电子器件 [P].

李治福 ;

刘广辉 ;

艾飞 ;

宋德伟 ;

罗成志 .

中国专利 :CN115513300A ,2022-12-23

[4]

垂直结构的薄膜晶体管和电子器件 [P].

李治福 ;

刘广辉 ;

艾飞 ;

宋德伟 ;

罗成志 .

中国专利 :CN115394857A ,2022-11-25

[5]

组合物、电子器件和薄膜晶体管 [P].

李恩庆 ;

郑知永 ;

朴正一 ;

崔雅净 .

中国专利 :CN105646883A ,2016-06-08

[6]

薄膜晶体管基板及电子器件 [P].

李治福 ;

刘广辉 ;

艾飞 ;

宋德伟 ;

李壮 .

中国专利 :CN115985916B ,2025-06-27

[7]

薄膜晶体管及电子器件 [P].

艾飞 ;

宋德伟 .

中国专利 :CN115377191B ,2025-11-21

[8]

包含薄膜晶体管的电子器件 [P].

S·C·德尼 ;

P·J·范德扎尔格 ;

S·J·巴特斯拜 .

中国专利 :CN1252835C ,2003-12-17

[9]

薄膜晶体管电子器件及其制造 [P].

P·J·范德扎格 ;

N·D·杨 ;

I·D·弗伦奇 ;

J·A·查普曼 .

中国专利 :CN1666347A ,2005-09-07

[10]

薄膜晶体管及电子器件 [P].

艾飞 ;

宋德伟 .

中国专利 :CN115377191A ,2022-11-22

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