薄膜晶体管及电子器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210954593.X

申请日：

2022-08-10

公开(公告)号：

CN115377191B

公开(公告)日：

2025-11-21

发明(设计)人：

艾飞宋德伟

申请人：

武汉华星光电技术有限公司

申请人地址：

430079 湖北省武汉市东湖开发区高新大道666号生物城C5栋

IPC主分类号：

H10D62/10

IPC分类号：

H10D30/67

代理机构：

深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570

代理人：

张惠

法律状态：

授权

国省代码：

河北省石家庄市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-21	授权	授权

共 50 条

[1]

薄膜晶体管及电子器件 [P].

艾飞 ;

宋德伟 .

中国专利 :CN115377191A ,2022-11-22

[2]

薄膜晶体管及其电子器件 [P].

李治福 ;

刘广辉 ;

艾飞 ;

宋德伟 ;

罗成志 .

中国专利 :CN115425090A ,2022-12-02

[3]

薄膜晶体管及其制备方法、电子器件 [P].

李金明 ;

卢马才 .

中国专利 :CN115498044A ,2022-12-20

[4]

新型薄膜晶体管及光电子器件和微电子器件 [P].

梅增霞 ;

叶大千 ;

刘利书 ;

梁会力 ;

刘尧平 ;

杜小龙 .

中国专利 :CN104134700B ,2014-11-05

[5]

薄膜晶体管及其电子器件和制造方法 [P].

金道映 ;

朴玩濬 ;

朴永洙 ;

李俊冀 ;

闵约赛 ;

权章渊 ;

徐顺爱 ;

崔荣敏 ;

蔡洙杜 .

中国专利 :CN1527115A ,2004-09-08

[6]

薄膜晶体管及其制造方法及薄膜晶体管面板以及电子器件 [P].

金周永 ;

宋炳权 ;

朴正一 ;

郑知永 .

韩国专利 :CN110556428B ,2024-05-14

[7]

薄膜晶体管及其制造方法及薄膜晶体管面板以及电子器件 [P].

金周永 ;

宋炳权 ;

朴正一 ;

郑知永 .

中国专利 :CN110556428A ,2019-12-10

[8]

薄膜晶体管和电子器件 [P].

艾飞 ;

李壮 .

中国专利 :CN119653834A ,2025-03-18

[9]

薄膜晶体管和电子器件 [P].

艾飞 ;

李壮 .

中国专利 :CN119653834B ,2025-10-14

[10]

薄膜晶体管基板及电子器件 [P].

李治福 ;

刘广辉 ;

艾飞 ;

宋德伟 ;

李壮 .

中国专利 :CN115985916B ,2025-06-27

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