新型薄膜晶体管及光电子器件和微电子器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410349844.7

申请日：

2014-07-22

公开(公告)号：

CN104134700B

公开(公告)日：

2014-11-05

发明(设计)人：

梅增霞叶大千刘利书梁会力刘尧平杜小龙

申请人：

申请人地址：

100190 北京市海淀区中关村南三街8号

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

H01L31113

代理机构：

北京智汇东方知识产权代理事务所(普通合伙) 11391

代理人：

范晓斌;郭海彬

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-11-05	公开	公开
2014-12-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101590938557 IPC(主分类):H01L 29/786 专利申请号:2014103498447 申请日:20140722
2017-02-01	授权	授权

共 50 条

[1]

薄膜晶体管及电子器件 [P].

艾飞 ;

宋德伟 .

中国专利 :CN115377191B ,2025-11-21

[2]

薄膜晶体管及电子器件 [P].

艾飞 ;

宋德伟 .

中国专利 :CN115377191A ,2022-11-22

[3]

薄膜晶体管及其电子器件 [P].

李治福 ;

刘广辉 ;

艾飞 ;

宋德伟 ;

罗成志 .

中国专利 :CN115425090A ,2022-12-02

[4]

薄膜晶体管和电子器件 [P].

艾飞 ;

李壮 .

中国专利 :CN119653834A ,2025-03-18

[5]

薄膜晶体管和电子器件 [P].

艾飞 ;

李壮 .

中国专利 :CN119653834B ,2025-10-14

[6]

薄膜晶体管及其电子器件和制造方法 [P].

金道映 ;

朴玩濬 ;

朴永洙 ;

李俊冀 ;

闵约赛 ;

权章渊 ;

徐顺爱 ;

崔荣敏 ;

蔡洙杜 .

中国专利 :CN1527115A ,2004-09-08

[7]

薄膜晶体管及其制备方法、电子器件 [P].

李金明 ;

卢马才 .

中国专利 :CN115498044A ,2022-12-20

[8]

光电子器件 [P].

于尔根·莫斯布格尔 .

中国专利 :CN104685625B ,2015-06-03

[9]

光电子器件、光电子器件复合件和制造光电子器件的方法 [P].

大卫·欧布里安 ;

西格弗里德·赫尔曼 .

中国专利 :CN107851695A ,2018-03-27

[10]

光电子器件和光电子器件的制造方法 [P].

沃尔特·韦格莱特 ;

诺贝特·斯塔特 ;

贝尔特·布劳内 ;

卡尔·魏德纳 ;

马蒂亚斯·雷布汉 ;

汉斯·维尔克施 .

中国专利 :CN101904005B ,2010-12-01

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