薄膜晶体管及其制备方法、电子器件

被引：0

申请号：

CN202211041724.1

申请日：

2022-08-29

公开(公告)号：

CN115498044A

公开(公告)日：

2022-12-20

发明(设计)人：

李金明卢马才

申请人：

申请人地址：

510700 广东省广州市黄埔区（中新广州知识城）亿创街1号406房之417

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

H01L21336 H01L2712

代理机构：

深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570

代理人：

杨瑞

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-01-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/786 申请日:20220829
2022-12-20	公开	公开

共 50 条

[1]

薄膜晶体管及其电子器件 [P].

李治福 ;

刘广辉 ;

艾飞 ;

宋德伟 ;

罗成志 .

中国专利 :CN115425090A ,2022-12-02

[2]

薄膜晶体管及电子器件 [P].

艾飞 ;

宋德伟 .

中国专利 :CN115377191B ,2025-11-21

[3]

薄膜晶体管及电子器件 [P].

艾飞 ;

宋德伟 .

中国专利 :CN115377191A ,2022-11-22

[4]

薄膜晶体管及其电子器件和制造方法 [P].

金道映 ;

朴玩濬 ;

朴永洙 ;

李俊冀 ;

闵约赛 ;

权章渊 ;

徐顺爱 ;

崔荣敏 ;

蔡洙杜 .

中国专利 :CN1527115A ,2004-09-08

[5]

薄膜晶体管及其制造方法及薄膜晶体管面板以及电子器件 [P].

金周永 ;

宋炳权 ;

朴正一 ;

郑知永 .

韩国专利 :CN110556428B ,2024-05-14

[6]

薄膜晶体管及其制造方法及薄膜晶体管面板以及电子器件 [P].

金周永 ;

宋炳权 ;

朴正一 ;

郑知永 .

中国专利 :CN110556428A ,2019-12-10

[7]

薄膜晶体管电子器件及其制造 [P].

P·J·范德扎格 ;

N·D·杨 ;

I·D·弗伦奇 ;

J·A·查普曼 .

中国专利 :CN1666347A ,2005-09-07

[8]

新型薄膜晶体管及光电子器件和微电子器件 [P].

梅增霞 ;

叶大千 ;

刘利书 ;

梁会力 ;

刘尧平 ;

杜小龙 .

中国专利 :CN104134700B ,2014-11-05

[9]

薄膜晶体管及其制备方法 [P].

赵海廷 ;

魏朝刚 ;

刘青刚 .

中国专利 :CN104409518B ,2015-03-11

[10]

薄膜晶体管及其制备方法 [P].

赵加湘 .

中国专利 :CN105789319A ,2016-07-20

← 1 2 3 4 5 →