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半导体结构的制造方法和半导体结构

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510182256.7
申请日：
2025-02-19
公开(公告)号：
CN119653849A
公开(公告)日：
2025-03-18
发明(设计)人：
黄祥 林成芝 董宗谕
申请人：
晶芯成（北京）科技有限公司 合肥晶合集成电路股份有限公司
申请人地址：
100176 北京市大兴区北京经济技术开发区科创十三街29号院一区2号楼13层1302-C54
IPC主分类号：
H10D84/03
IPC分类号：
H01L21/308 H10D84/85
代理机构：
北京布瑞知识产权代理有限公司 11505
代理人：
鲍诗娴
法律状态：
公开
国省代码：
安徽省 宣城市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-03-18 公开 公开
2025-04-04 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 84/03申请日:20250219
2025-07-08 授权 授权
共 50 条
[1]
半导体结构的制造方法和半导体结构 [P]. 
黄祥 ;
林成芝 ;
董宗谕 .
中国专利 :CN119653849B ,2025-07-08
[2]
半导体结构的制造方法和半导体结构 [P]. 
杨蒙蒙 ;
白杰 .
中国专利 :CN114695097A ,2022-07-01
[3]
半导体结构的制造方法和半导体结构 [P]. 
杨蒙蒙 ;
白杰 .
中国专利 :CN114695097B ,2025-04-04
[4]
半导体结构的制造方法和半导体结构 [P]. 
杨蒙蒙 ;
白杰 .
中国专利 :CN114765108A ,2022-07-19
[5]
半导体结构的制造方法及半导体结构 [P]. 
武羽 ;
王盈智 ;
王士欣 .
中国专利 :CN116072537B ,2025-12-23
[6]
半导体结构和半导体结构的制备方法 [P]. 
张俊逸 ;
李新 ;
应战 .
中国专利 :CN115568207A ,2023-01-03
[7]
半导体结构和半导体结构的制备方法 [P]. 
秦文颖 .
中国专利 :CN114446964A ,2022-05-06
[8]
半导体结构和半导体结构的制备方法 [P]. 
刘志拯 .
中国专利 :CN115411005A ,2022-11-29
[9]
半导体结构、半导体结构的制造方法和半导体器件 [P]. 
庄凌艺 ;
吕开敏 .
中国专利 :CN117677206A ,2024-03-08
[10]
半导体结构、半导体结构的制造方法和半导体器件 [P]. 
庄凌艺 ;
吕开敏 .
中国专利 :CN117677207A ,2024-03-08
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