提升压接型功率半导体器件短路耐受能力的封装结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210826747.7

申请日：

2022-07-13

公开(公告)号：

CN115172299B

公开(公告)日：

2025-03-18

发明(设计)人：

李辉余越姚然赖伟朱哲研周柏灵刘人宽段泽宇陈思宇向学位

申请人：

重庆大学

申请人地址：

400044 重庆市沙坪坝区沙坪坝正街174号

IPC主分类号：

H01L23/367

IPC分类号：

H01L21/50

代理机构：

北京同恒源知识产权代理有限公司 11275

代理人：

方钟苑

法律状态：

授权

国省代码：

重庆市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-18	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件封装结构及其制造方法 [P].

孙跃 ;

王文博 ;

张国旗 .

中国专利 :CN111463174A ,2020-07-28

[2]

功率半导体封装结构及制造方法 [P].

刘成振 ;

崔晓 ;

王钦 ;

朱贤龙 ;

闫鹏修 ;

刘军 .

中国专利 :CN117012733B ,2024-04-02

[3]

功率半导体模块、功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法 [P].

D·特拉塞尔 ;

H·拜尔 ;

M·马利基 .

:CN116830247B ,2024-08-09

[4]

功率半导体封装结构及具有其的功率半导体器件 [P].

郝炜 ;

唐新灵 ;

魏晓光 ;

于克凡 ;

石浩 ;

代安琪 ;

林仲康 ;

田延忠 .

中国专利 :CN119920772A ,2025-05-02

[5]

功率半导体封装结构及具有其的功率半导体器件 [P].

郝炜 ;

唐新灵 ;

魏晓光 ;

于克凡 ;

石浩 ;

代安琪 ;

林仲康 ;

田延忠 .

中国专利 :CN119920772B ,2025-06-03

[6]

半导体封装、半导体器件及其制造方法 [P].

森本滋 ;

太田顺道 ;

前田昌宏 .

中国专利 :CN1251942A ,2000-05-03

[7]

一种功率半导体器件封装结构 [P].

彭劲松 ;

万翠凤 ;

郭天宇 ;

张巍 .

中国专利 :CN116598214B ,2024-03-19

[8]

功率半导体器件的封装结构、制造方法及应用 [P].

魏晓光 ;

唐新灵 ;

韩荣刚 ;

林仲康 ;

王亮 ;

李玲 .

中国专利 :CN118198018A ,2024-06-14

[9]

功率半导体器件的封装结构、制造方法及应用 [P].

魏晓光 ;

唐新灵 ;

韩荣刚 ;

林仲康 ;

王亮 ;

李玲 .

中国专利 :CN118198018B ,2025-07-08

[10]

功率半导体器件封装结构及其制造方法 [P].

谢文华 ;

任炜强 .

中国专利 :CN113410185B ,2021-09-17

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