一种半导体晶片表面缺陷检测装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202421272078.4

申请日：

2024-06-05

公开(公告)号：

CN222600960U

公开(公告)日：

2025-03-11

发明(设计)人：

胡晓筱

申请人：

扬州市昕业照明电器有限公司

申请人地址：

225000 江苏省扬州市高邮市郭集镇工业集中区

IPC主分类号：

H01L21/687

IPC分类号：

G01N21/95 G01N21/01 H01L21/66

代理机构：

扬州邗诚专利代理事务所(普通合伙) 32469

代理人：

李雯斐

法律状态：

授权

国省代码：

河南省驻马店市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-11	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体晶片表面缺陷检测装置 [P].

姚政鹏 ;

黄磊 ;

齐海兵 .

中国专利 :CN118231301A ,2024-06-21

[2]

一种半导体晶片表面缺陷检测方法以及检测装置 [P].

胡浩 ;

张俊宝 ;

宋洪伟 ;

陈猛 .

中国专利 :CN113325004A ,2021-08-31

[3]

一种半导体晶片质量检测装置 [P].

张敏 .

中国专利 :CN220855081U ,2024-04-26

[4]

一种用于检测半导体晶片表面缺陷的设备 [P].

张正辉 ;

单良平 ;

沈智慧 ;

黄军明 .

中国专利 :CN113433139B ,2021-09-24

[5]

半导体晶片表面缺陷检测方法、装置、设备及存储介质 [P].

陈新民 ;

王洁 ;

唐建明 ;

张桂英 ;

周正恩 .

中国专利 :CN119831995B ,2025-09-16

[6]

半导体晶片表面缺陷检测方法、装置、设备及存储介质 [P].

陈新民 ;

王洁 ;

唐建明 ;

张桂英 ;

周正恩 .

中国专利 :CN119831995A ,2025-04-15

[7]

一种半导体物料表面缺陷检测装置 [P].

潘鸿举 ;

徐济长 ;

张黎斌 ;

买潇辉 ;

李宜桐 ;

车朗泽 .

中国专利 :CN221899082U ,2024-10-25

[8]

一种半导体晶片厚度检测装置 [P].

葛晋 .

中国专利 :CN221259792U ,2024-07-02

[9]

一种半导体晶片厚度检测装置 [P].

安璐 ;

廖齐文 ;

杨世勇 .

中国专利 :CN220818871U ,2024-04-19

[10]

一种半导体晶片的检测装置 [P].

向军 .

中国专利 :CN206905725U ,2018-01-19

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