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一种三甲基镓的制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202411805760.X
申请日
:
2024-12-10
公开(公告)号
:
CN119638728A
公开(公告)日
:
2025-03-18
发明(设计)人
:
徐慧杰
艾蓁
赵亚伟
秦曾言
沈乐
陈勇军
岳辰曦
申请人
:
中铝郑州有色金属研究院有限公司
申请人地址
:
450041 河南省郑州市上街区济源路82号
IPC主分类号
:
C07F5/00
IPC分类号
:
代理机构
:
北京华沛德权律师事务所 11302
代理人
:
张晓冬
法律状态
:
公开
国省代码
:
河南省 郑州市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-03-18
公开
公开
2025-04-04
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):C07F 5/00申请日:20241210
共 50 条
[1]
一种三甲基镓的制备方法
[P].
赵兴雷
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赵兴雷
;
李国涛
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李国涛
.
中国专利
:CN106749354B
,2017-05-31
[2]
一种三甲基镓的制备方法
[P].
魏巍
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魏巍
;
周明奇
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周明奇
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胡玉叶
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胡玉叶
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王海军
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王海军
;
高川
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高川
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孙惠
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孙惠
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邹贵
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邹贵
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徐强
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徐强
;
宋超超
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宋超超
.
中国专利
:CN108976251A
,2018-12-11
[3]
一种三甲基镓的制备方法
[P].
宋福全
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宋福全
;
卢志国
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卢志国
;
闫冀东
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闫冀东
.
中国专利
:CN102757454A
,2012-10-31
[4]
一种三甲基镓的制备方法
[P].
谢贤清
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谢贤清
;
廖维林
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廖维林
;
邱曾烨
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邱曾烨
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陈飞彪
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陈飞彪
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马玉峰
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马玉峰
;
吴伟
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吴伟
.
中国专利
:CN105175438A
,2015-12-23
[5]
三甲基镓、其制造方法以及从该三甲基镓成长的氮化镓薄膜
[P].
松原政信
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松原政信
;
岛田健
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岛田健
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西川直宏
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西川直宏
;
门田阳一
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门田阳一
.
中国专利
:CN1763049A
,2006-04-26
[6]
三甲基镓的高效纯化方法
[P].
顾宏伟
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顾宏伟
;
茅嘉原
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茅嘉原
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李敏
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李敏
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王士峰
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王士峰
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洪海燕
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洪海燕
.
中国专利
:CN104860973A
,2015-08-26
[7]
三甲基镓的提纯方法
[P].
朱世会
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朱世会
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朱刘
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朱刘
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朱世明
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朱世明
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刘留
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刘留
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屈一新
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屈一新
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任帅
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任帅
.
中国专利
:CN102731541A
,2012-10-17
[8]
三甲基镓制备和提纯方法
[P].
王同文
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王同文
.
中国专利
:CN1872862A
,2006-12-06
[9]
工业化制备三甲基镓的方法
[P].
孙祥祯
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孙祥祯
;
徐昕
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徐昕
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潘毅
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潘毅
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张进琪
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张进琪
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朱春生
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朱春生
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陈化冰
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陈化冰
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吉敏坤
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吉敏坤
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孙明璐
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孙明璐
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中国专利
:CN102020669A
,2011-04-20
[10]
一种三甲基镓供应系统
[P].
张勇
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机构:
江苏亿钶半导体设备有限公司
江苏亿钶半导体设备有限公司
张勇
;
冯焕鹏
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江苏亿钶半导体设备有限公司
江苏亿钶半导体设备有限公司
冯焕鹏
;
关浩
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江苏亿钶半导体设备有限公司
江苏亿钶半导体设备有限公司
关浩
;
何霖
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机构:
江苏亿钶半导体设备有限公司
江苏亿钶半导体设备有限公司
何霖
.
中国专利
:CN118615726A
,2024-09-10
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