処理液、基板の処理方法、及び半導体基板の製造方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20240151861

申请日：

2024-09-04

公开(公告)号：

JP2025040413A

公开(公告)日：

2025-03-24

发明(设计)人：

IIOKA ATSUSHI AARON GELL

申请人：

TOKYO OHKA KOGYO CO LTD

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L21/308

IPC分类号：

C11D7/08 C11D7/26 C11D7/28 C11D17/08 H01L21/304 H01L21/306

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共 50 条

[1]

半導体装置の製造方法、基板処理装置及び半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2011093203A1 ,2013-06-06

[2]

薬液、薬液の製造方法、基板の処理方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2019150990A1 ,2021-01-28

[3]

薬液、基板の処理方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2020049955A1 ,2021-08-26

[4]

薬液、基板の処理方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2020054296A1 ,2021-09-02

[5]

薬液、基板の処理方法[ja] [P].

日本专利 :JP2022140501A ,2022-09-26

[6]

薬液、基板の処理方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2019138814A1 ,2020-12-17

[7]

処理液、被対象物の処理方法、及び、半導体デバイスの製造方法[ja] [P].

YAMADA SHIMPEI ;

KAMIMURA TETSUYA ;

MIZUTANI ATSUSHI ;

SHIGENOI YUTA .

日本专利 :JP2024018964A ,2024-02-08

[8]

基板処理膜形成用組成物及び基板の処理方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2020008965A1 ,2021-07-08

[9]

金属基板の表面処理方法[ja] [P].

日本专利 :JP2016519220A ,2016-06-30

[10]

半導体基板用研磨液及び半導体基板の研磨方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2010122985A1 ,2012-10-25

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