层间介质膜形成方法、半导体结构及芯片

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411772741.1

申请日：

2024-12-04

公开(公告)号：

CN119743992A

公开(公告)日：

2025-04-01

发明(设计)人：

赵东艳刘芳陆佳倩许凯高大为吴永玉吴波赵扬邓永峰李君建

申请人：

北京智芯微电子科技有限公司浙江大学

申请人地址：

100192 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园A区3号楼

IPC主分类号：

H10D64/01

IPC分类号：

H10D64/27

代理机构：

北京润平知识产权代理有限公司 11283

代理人：

杨伟东

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

浙江省杭州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-18	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 64/01申请日:20241204
2025-04-01	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体的层间介质层的形成方法及半导体结构 [P].

杨明 ;

阳黎明 ;

李钊 ;

黄永彬 .

中国专利 :CN118231225A ,2024-06-21

[2]

层间介质层、半导体器件及其形成方法 [P].

李健 .

中国专利 :CN101661898A ,2010-03-03

[3]

半导体结构及半导体结构的形成方法 [P].

何其旸 .

中国专利 :CN103165522A ,2013-06-19

[4]

半导体结构及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN108878419A ,2018-11-23

[5]

金属层间介质膜层的形成方法 [P].

胡海天 ;

姜国伟 ;

田守卫 ;

徐宇杰 .

中国专利 :CN109346399A ,2019-02-15

[6]

沟道应力形成方法、半导体结构、芯片及电路 [P].

陈燕宁 ;

刘芳 ;

吴波 ;

黄江海 ;

陶然 ;

吴永玉 ;

邓永峰 ;

李君建 .

中国专利 :CN119325260A ,2025-01-17

[7]

金属层间介质膜层的形成方法及HDPCVD方法 [P].

柳露林 ;

于超 ;

谭国志 .

中国专利 :CN106328582A ,2017-01-11

[8]

铜金属层形成方法、半导体结构、芯片及电路 [P].

陈燕宁 ;

刘芳 ;

黄天哲 ;

陶然 ;

吴永玉 ;

吴波 ;

邓永峰 ;

郁文 .

中国专利 :CN119170565A ,2024-12-20

[9]

半导体结构的形成方法、半导体结构、器件及装置 [P].

王阳 ;

蔺黎 ;

徐蓓华 ;

钟怡 ;

董天化 ;

曾红林 .

中国专利 :CN119486136A ,2025-02-18

[10]

半导体结构的形成方法、半导体结构、器件及装置 [P].

王阳 ;

蔺黎 ;

徐蓓华 ;

钟怡 ;

董天化 ;

曾红林 .

中国专利 :CN119486136B ,2025-10-10

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