金属层间介质膜层的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811197886.8

申请日：

2018-10-15

公开(公告)号：

CN109346399A

公开(公告)日：

2019-02-15

发明(设计)人：

胡海天姜国伟田守卫徐宇杰

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L21768 C23C1640

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

屈蘅

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-02-15	公开	公开
2019-03-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20181015

共 50 条

[1]

金属层间介质膜层的形成方法及HDPCVD方法 [P].

柳露林 ;

于超 ;

谭国志 .

中国专利 :CN106328582A ,2017-01-11

[2]

金属层间介质的形成方法及金属层间介质结构 [P].

陈美丽 ;

王乐 .

中国专利 :CN103094194A ,2013-05-08

[3]

层间介质膜形成方法、半导体结构及芯片 [P].

赵东艳 ;

刘芳 ;

陆佳倩 ;

许凯 ;

高大为 ;

吴永玉 ;

吴波 ;

赵扬 ;

邓永峰 ;

李君建 .

中国专利 :CN119743992A ,2025-04-01

[4]

层间介质层的形成方法 [P].

金立培 ;

李宗旭 ;

许隽 ;

张严 .

中国专利 :CN114823288A ,2022-07-29

[5]

层间介质层的形成方法 [P].

何德彦 .

中国专利 :CN119419170A ,2025-02-11

[6]

层间介质层的形成方法 [P].

田守卫 ;

姜国伟 ;

孙洪福 ;

王雷 .

中国专利 :CN115410988A ,2022-11-29

[7]

层间电容器的形成方法 [P].

顾学强 .

中国专利 :CN101197256B ,2008-06-11

[8]

金属层间通孔形成方法 [P].

叶晓 .

中国专利 :CN114496911B ,2025-08-05

[9]

金属层间通孔形成方法 [P].

叶晓 .

中国专利 :CN114496911A ,2022-05-13

[10]

具有气隙的层间介质层的形成方法 [P].

黄冲 ;

李志国 ;

李协吉 .

中国专利 :CN103839886A ,2014-06-04

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